Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD050N03LGATMA1
IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD050N03LGATMA1 за ціною від 19.53 грн до 113.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+56.76 грн
252+56.20 грн
314+45.09 грн
317+43.04 грн
500+34.53 грн
1000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.63 грн
14+56.76 грн
25+56.20 грн
100+43.48 грн
250+39.85 грн
500+33.14 грн
1000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+71.02 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 UMW 3a3148d0311d943794811d682f0a95dc.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.94 грн
10+45.59 грн
100+29.79 грн
500+21.58 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.43 грн
10+43.61 грн
100+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.91 грн
10+69.47 грн
100+46.32 грн
500+34.16 грн
1000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD050N03LG_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 3a3148d0311d943794811d682f0a95dc.pdf Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 3a3148d0311d943794811d682f0a95dc.pdf Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+56.76 грн
252+56.20 грн
314+45.09 грн
317+43.04 грн
500+34.53 грн
1000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+67.63 грн
14+56.76 грн
25+56.20 грн
100+43.48 грн
250+39.85 грн
500+33.14 грн
1000+32.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+71.02 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 3a3148d0311d943794811d682f0a95dc.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.94 грн
10+45.59 грн
100+29.79 грн
500+21.58 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LG-DTE.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+96.43 грн
10+43.61 грн
100+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f
IPD050N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.91 грн
10+69.47 грн
100+46.32 грн
500+34.16 грн
1000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 Infineon_IPD050N03LG_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 3a3148d0311d943794811d682f0a95dc.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 3a3148d0311d943794811d682f0a95dc.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.