Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD050N03LGATMA1
IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 68W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.

Інші пропозиції IPD050N03LGATMA1 за ціною від 21.59 грн до 126.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+58.79 грн
252+58.20 грн
314+46.70 грн
317+44.58 грн
500+35.76 грн
1000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.04 грн
14+58.79 грн
25+58.20 грн
100+45.03 грн
250+41.27 грн
500+34.33 грн
1000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+73.55 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 UMW 3a3148d0311d943794811d682f0a95dc.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.18 грн
10+45.62 грн
50+33.67 грн
100+27.97 грн
500+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.15 грн
10+45.76 грн
50+38.97 грн
100+36.25 грн
500+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 4783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.26 грн
10+69.46 грн
50+51.98 грн
100+43.48 грн
500+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd050n03l_g_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4694 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+126.40 грн
10+55.89 грн
100+37.99 грн
500+31.67 грн
1000+30.24 грн
2500+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 3a3148d0311d943794811d682f0a95dc.pdf Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 4871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 3a3148d0311d943794811d682f0a95dc.pdf Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 4871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+58.79 грн
252+58.20 грн
314+46.70 грн
317+44.58 грн
500+35.76 грн
1000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+70.04 грн
14+58.79 грн
25+58.20 грн
100+45.03 грн
250+41.27 грн
500+34.33 грн
1000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+73.55 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 3a3148d0311d943794811d682f0a95dc.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.18 грн
10+45.62 грн
50+33.67 грн
100+27.97 грн
500+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LG-DTE.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+105.15 грн
10+45.76 грн
50+38.97 грн
100+36.25 грн
500+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f
IPD050N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 4783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.26 грн
10+69.46 грн
50+51.98 грн
100+43.48 грн
500+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 infineon_ipd050n03l_g_datasheet_en.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4694 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.40 грн
10+55.89 грн
100+37.99 грн
500+31.67 грн
1000+30.24 грн
2500+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 3a3148d0311d943794811d682f0a95dc.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 4871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f 3a3148d0311d943794811d682f0a95dc.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 4871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.