IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 24.52 грн |
| 5000+ | 21.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPD050N03LGATMA1 за ціною від 18.00 грн до 111.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD050N03LGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD050N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD050N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD050N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD050N03LGATMA1 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD050N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V |
на замовлення 6833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD050N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 4978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD050N03LGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD050N03LGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD050N03LGATMA1 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |