Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD050N03LGATMA1
IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies

3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPD050N03LGATMA1 за ціною від 25.04 грн до 76.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.79 грн
5000+ 28.94 грн
10000+ 28.44 грн
12500+ 26.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+29.98 грн
5000+ 29.12 грн
10000+ 28.62 грн
12500+ 26.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.84 грн
5000+ 29.2 грн
12500+ 27.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
293+39.79 грн
305+ 38.2 грн
500+ 36.82 грн
1000+ 34.35 грн
2500+ 30.87 грн
Мінімальне замовлення: 293
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27908-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+48.73 грн
500+ 38.06 грн
1000+ 27.85 грн
2500+ 25.55 грн
5000+ 25.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
225+51.79 грн
228+ 51.27 грн
257+ 45.3 грн
260+ 43.25 грн
500+ 36.05 грн
1000+ 28.49 грн
Мінімальне замовлення: 225
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+53.16 грн
12+ 48.09 грн
25+ 47.6 грн
100+ 40.57 грн
250+ 37.19 грн
500+ 32.14 грн
1000+ 26.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.89 грн
9+ 39.44 грн
25+ 34.8 грн
27+ 30.1 грн
73+ 28.44 грн
500+ 28.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD050N03LG_DataSheet_v02_01_EN-3362524.pdf MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.69 грн
10+ 52.33 грн
100+ 38.19 грн
500+ 34.41 грн
1000+ 27.77 грн
2500+ 27.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.06 грн
6+ 49.15 грн
25+ 41.77 грн
27+ 36.12 грн
73+ 34.13 грн
500+ 33.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27908-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+70.42 грн
13+ 61.62 грн
100+ 48.73 грн
500+ 38.06 грн
1000+ 27.85 грн
2500+ 25.55 грн
5000+ 25.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 13512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.88 грн
10+ 60.61 грн
100+ 47.17 грн
500+ 37.52 грн
1000+ 30.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній