Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD050N03LGATMA1
IPD050N03LGATMA1

IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies

3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD050N03LGATMA1 за ціною від 22.12 грн до 108.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.14 грн
500+30.88 грн
1000+28.28 грн
5000+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+49.44 грн
252+48.95 грн
314+39.27 грн
317+37.49 грн
500+30.07 грн
1000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+61.86 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+63.12 грн
14+52.97 грн
25+52.44 грн
100+40.57 грн
250+37.19 грн
500+30.93 грн
1000+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: INFINEON - IPD050N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.82 грн
15+59.09 грн
100+42.80 грн
500+32.14 грн
1000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31FCD9EF4C11C&compId=IPD050N03LG-DTE.pdf?ci_sign=d06db5c93bba5c2107dc7137cf96d635f8618866 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.38 грн
10+42.83 грн
27+34.52 грн
75+32.62 грн
100+32.22 грн
500+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD050N03LG-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01239e47dbfe701f Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 4376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.84 грн
10+48.06 грн
100+36.00 грн
500+28.90 грн
1000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD050N03LG-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.63 грн
10+52.44 грн
100+34.20 грн
500+27.97 грн
1000+27.51 грн
2500+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31FCD9EF4C11C&compId=IPD050N03LG-DTE.pdf?ci_sign=d06db5c93bba5c2107dc7137cf96d635f8618866 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.45 грн
10+53.37 грн
27+41.42 грн
75+39.14 грн
100+38.67 грн
500+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 3575ipd050n03lg_rev2.0._pdf.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.