Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD050N10N5ATMA1
IPD050N10N5ATMA1

IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+80.41 грн
7500+73.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.

Інші пропозиції IPD050N10N5ATMA1 за ціною від 69.15 грн до 272.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies 65infineon-ipd050n10n5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b61.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+99.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies 65infineon-ipd050n10n5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b61.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies 65infineon-ipd050n10n5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b61.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+172.42 грн
500+155.78 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd050n10n5_ds_en.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 474 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+232.88 грн
10+116.28 грн
100+90.02 грн
500+74.36 грн
1000+72.41 грн
2500+69.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
на замовлення 8121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.19 грн
10+161.83 грн
50+124.57 грн
100+105.64 грн
500+85.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies 65infineon-ipd050n10n5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b61.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies 65infineon-ipd050n10n5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b61.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+272.64 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 IPD050N10N5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003614450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 65infineon-ipd050n10n5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b61.pdf
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+99.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 65infineon-ipd050n10n5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b61.pdf
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+100.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 65infineon-ipd050n10n5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b61.pdf
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
207+172.42 грн
500+155.78 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 infineon_ipd050n10n5_ds_en.pdf
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 474 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.88 грн
10+116.28 грн
100+90.02 грн
500+74.36 грн
1000+72.41 грн
2500+69.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 Infineon-IPD050N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b615bb7536713
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 50 V
на замовлення 8121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.19 грн
10+161.83 грн
50+124.57 грн
100+105.64 грн
500+85.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 65infineon-ipd050n10n5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b61.pdf
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+271.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 65infineon-ipd050n10n5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625b3ca4ec015b61.pdf
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+272.64 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 INFN-S-A0003614450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N10N5ATMA1 INFN-S-A0003614450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD050N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD050N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 5000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.