Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD052N10NF2SATMA1
IPD052N10NF2SATMA1

IPD052N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD052N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7d49b2f3d4a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+54.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD052N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 118A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD052N10NF2SATMA1 за ціною від 53.88 грн до 182.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD052N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7d49b2f3d4a Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 3532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.43 грн
10+112.81 грн
100+77.20 грн
500+58.14 грн
1000+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD052N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 INFINEON 3812023.pdf Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 INFINEON 3812023.pdf Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1 Infineon-IPD052N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7d49b2f3d4a
IPD052N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 3532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.43 грн
10+112.81 грн
100+77.20 грн
500+58.14 грн
1000+53.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1 Infineon-IPD052N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IPD052N10NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1 3812023.pdf
IPD052N10NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD052N10NF2SATMA1 3812023.pdf
IPD052N10NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD052N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 118 A, 4400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.