Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD053N06NATMA1
IPD053N06NATMA1

IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies

IPD053N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c22c4c3499f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.

Інші пропозиції IPD053N06NATMA1 за ціною від 37.14 грн до 169.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 INFINEON INFNS19754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 19850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.92 грн
500+44.36 грн
1000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 INFINEON INFNS19754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 19850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.70 грн
50+89.63 грн
100+61.92 грн
500+44.36 грн
1000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies IPD053N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c22c4c3499f Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 6381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.18 грн
10+84.30 грн
100+56.92 грн
500+42.42 грн
1000+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD053N06N_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.39 грн
10+106.18 грн
100+61.81 грн
500+50.40 грн
1000+45.18 грн
2500+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 INFNS19754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD053N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 19850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+61.92 грн
500+44.36 грн
1000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 INFNS19754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD053N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 19850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+121.70 грн
50+89.63 грн
100+61.92 грн
500+44.36 грн
1000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c22c4c3499f
IPD053N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 6381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+137.18 грн
10+84.30 грн
100+56.92 грн
500+42.42 грн
1000+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 Infineon_IPD053N06N_DS_v02_02_en.pdf
IPD053N06NATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2
на замовлення 3429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+169.39 грн
10+106.18 грн
100+61.81 грн
500+50.40 грн
1000+45.18 грн
2500+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.