Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD053N06NATMA1
IPD053N06NATMA1

IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies

ipd053n06n_rev2.2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD053N06NATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD053N06NATMA1 за ціною від 29.70 грн до 117.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
328+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 328
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+37.90 грн
25+37.52 грн
100+34.21 грн
250+31.36 грн
500+30.00 грн
1000+29.90 грн
3000+29.80 грн
6000+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD053N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c22c4c3499f Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+46.27 грн
265+46.16 грн
266+45.96 грн
1000+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.61 грн
500+44.06 грн
1000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD053N06N_DS_v02_02_en-1226926.pdf MOSFETs N-Ch 60V 45A DPAK-2
на замовлення 16487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.71 грн
10+57.61 грн
100+44.88 грн
500+39.36 грн
1000+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : INFINEON INFNS19754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD053N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.81 грн
50+63.79 грн
100+56.61 грн
500+44.06 грн
1000+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies IPD053N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c22c4c3499f Description: MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 6632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.78 грн
10+76.56 грн
100+53.97 грн
500+41.19 грн
1000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd053n06n_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD053N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N06NATMA1 IPD053N06NATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD053N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.