Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD053N08N3GATMA1
IPD053N08N3GATMA1

IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+67.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.

Інші пропозиції IPD053N08N3GATMA1 за ціною від 61.88 грн до 198.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8 Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 11755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.53 грн
10+80.10 грн
100+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD053N08N3_DS_v01_01_en.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 47974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.17 грн
10+132.12 грн
100+84.58 грн
500+72.60 грн
1000+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8 Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 15107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.17 грн
10+134.03 грн
100+98.68 грн
500+78.65 грн
1000+66.68 грн
5000+61.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 Infineon Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8
IPD053N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 11755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+97.53 грн
10+80.10 грн
100+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 Infineon_IPD053N08N3_DS_v01_01_en.pdf
IPD053N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 47974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+198.17 грн
10+132.12 грн
100+84.58 грн
500+72.60 грн
1000+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8
IPD053N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 15107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+198.17 грн
10+134.03 грн
100+98.68 грн
500+78.65 грн
1000+66.68 грн
5000+61.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8
Виробник: Infineon
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.