Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD053N08N3GATMA1
IPD053N08N3GATMA1

IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies

ipd053n08n3_rev1.1_.pdffileiddb3a304317a748360117cf072cf31ce8fold.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.

Інші пропозиції IPD053N08N3GATMA1 за ціною від 64.10 грн до 212.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8 Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipd053n08n3_rev1.1_.pdffileiddb3a304317a748360117cf072cf31ce8fold.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.88 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipd053n08n3_rev1.1_.pdffileiddb3a304317a748360117cf072cf31ce8fold.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+104.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipd053n08n3_rev1.1_.pdffileiddb3a304317a748360117cf072cf31ce8fold.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+109.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipd053n08n3_rev1.1_.pdffileiddb3a304317a748360117cf072cf31ce8fold.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+118.78 грн
134+105.96 грн
138+102.67 грн
200+98.20 грн
500+84.95 грн
1000+78.02 грн
2000+76.61 грн
2500+75.91 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies ipd053n08n3_rev1.1_.pdffileiddb3a304317a748360117cf072cf31ce8fold.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.34 грн
10+116.29 грн
25+115.13 грн
100+102.10 грн
250+94.44 грн
500+84.36 грн
1000+74.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8 Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 5623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.12 грн
10+132.27 грн
50+101.15 грн
100+85.50 грн
500+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD053N08N3_DS_v01_01_en.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 45972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 INFINEON INFNS30232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 7494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 Infineon Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8
IPD053N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 ipd053n08n3_rev1.1_.pdffileiddb3a304317a748360117cf072cf31ce8fold.pdf
IPD053N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
163+86.88 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 ipd053n08n3_rev1.1_.pdffileiddb3a304317a748360117cf072cf31ce8fold.pdf
IPD053N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+104.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 ipd053n08n3_rev1.1_.pdffileiddb3a304317a748360117cf072cf31ce8fold.pdf
IPD053N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+109.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 ipd053n08n3_rev1.1_.pdffileiddb3a304317a748360117cf072cf31ce8fold.pdf
IPD053N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
119+118.78 грн
134+105.96 грн
138+102.67 грн
200+98.20 грн
500+84.95 грн
1000+78.02 грн
2000+76.61 грн
2500+75.91 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 ipd053n08n3_rev1.1_.pdffileiddb3a304317a748360117cf072cf31ce8fold.pdf
IPD053N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+125.34 грн
10+116.29 грн
25+115.13 грн
100+102.10 грн
250+94.44 грн
500+84.36 грн
1000+74.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8
IPD053N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 5623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+212.12 грн
10+132.27 грн
50+101.15 грн
100+85.50 грн
500+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 Infineon_IPD053N08N3_DS_v01_01_en.pdf
IPD053N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 45972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 INFNS30232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD053N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 7494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 Infineon-IPD053N08N3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304317a748360117cf072cf31ce8
Виробник: Infineon
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.