IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 53.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPD053N08N3GATMA1 за ціною від 54.89 грн до 120.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD053N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD053N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD053N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD053N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD053N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD053N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V |
на замовлення 11755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD053N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD053N08N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 15723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD053N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 52076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD053N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IPD053N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
IPD053N08N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |