Продукція > INFINEON > IPD055N08NF2SATMA1
IPD055N08NF2SATMA1

IPD055N08NF2SATMA1 INFINEON


3812024.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.80 грн
500+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD055N08NF2SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StronglRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPD055N08NF2SATMA1 за ціною від 48.47 грн до 165.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD055N08NF2SATMA1 IPD055N08NF2SATMA1 Виробник : INFINEON 3812024.pdf Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.38 грн
10+112.24 грн
100+79.80 грн
500+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1 IPD055N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD055N08NF2S_DataSheet_v02_02_EN-3106832.pdf MOSFETs N
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.21 грн
10+117.60 грн
100+73.57 грн
500+59.15 грн
1000+54.37 грн
2000+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1 IPD055N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD055N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b54558934976 Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.53 грн
10+90.12 грн
100+65.39 грн
500+52.89 грн
1000+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1
Код товару: 199783
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPD055N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b54558934976 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1 IPD055N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd055n08nf2s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd055n08nf2s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD055N08NF2SATMA1 IPD055N08NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD055N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b54558934976 Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.