Продукція > UMW > IPD060N03LG
IPD060N03LG

IPD060N03LG UMW

05b3a85e14027b9bafc5519915a67200.pdf
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.39 грн
10+64.17 грн
100+42.63 грн
500+31.33 грн
1000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD060N03LG UMW

Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 50, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 56, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2, Verlustleistung: 56, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD060N03LG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD060N03LG IPD060N03LG UMW 05b3a85e14027b9bafc5519915a67200.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03L G IPD060N03L G Infineon Technologies Infineon_IPD060N03L_G_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03L G IPD060N03L G INFINEON 1859015.pdf Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LG 05b3a85e14027b9bafc5519915a67200.pdf
IPD060N03LG
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03L G Infineon_IPD060N03L_G_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPD060N03L G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03L G 1859015.pdf
IPD060N03L G
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.