Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD060N03LGATMA1
IPD060N03LGATMA1

IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD060N03LGATMA1 за ціною від 15.72 грн до 67.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
591+19.82 грн
1000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 591
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.33 грн
5000+17.64 грн
7500+17.33 грн
12500+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+23.45 грн
32+22.05 грн
100+21.25 грн
250+19.67 грн
500+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
895+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 895
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
895+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 895
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
895+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 895
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.61 грн
500+26.84 грн
1000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD060N03L G-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.48 грн
100+23.27 грн
500+22.21 грн
1000+20.54 грн
2500+18.19 грн
5000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 33502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.28 грн
11+30.56 грн
100+24.70 грн
500+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.17 грн
11+37.90 грн
12+34.74 грн
29+32.69 грн
50+32.61 грн
78+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+55.44 грн
50+38.77 грн
100+30.53 грн
500+25.66 грн
1000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.20 грн
7+47.23 грн
10+41.69 грн
29+39.23 грн
50+39.13 грн
78+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
181+67.43 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.