Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD060N03LGATMA1

IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies

Name: IPD060N03LGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 29347147-5
Price: 33150.00 UAH
Availability: InStock

infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	13.26 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD060N03LGATMA1 за ціною від 11.96 грн до 39.04 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPD060N03LGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
877+	14.12 грн
889+	13.94 грн
900+	13.76 грн
912+	13.09 грн
1000+	11.96 грн

Мінімальне замовлення: 877

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	14.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	18.23 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1346 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
38+	18.72 грн
46+	15.52 грн
47+	14.59 грн
100+	13.33 грн
250+	12.63 грн
500+	12.47 грн
1000+	12.30 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	20.07 грн
5000+	17.80 грн
7500+	17.37 грн
12500+	15.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	23.24 грн
5000+	21.27 грн
7500+	21.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	24.64 грн
5000+	22.55 грн
7500+	22.33 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
447+	27.70 грн

Мінімальне замовлення: 447

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	29.57 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
995+	31.13 грн
1078+	28.71 грн

Мінімальне замовлення: 995

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
995+	31.13 грн
1078+	28.71 грн

Мінімальне замовлення: 995

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 157736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
995+	31.13 грн
1078+	28.71 грн
10000+	25.59 грн
100000+	20.68 грн

Мінімальне замовлення: 995

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 6648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
995+	31.13 грн
1078+	28.71 грн

Мінімальне замовлення: 995

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

на замовлення 32652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	32.71 грн
100+	24.73 грн
500+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : INFINEON

INFNS16443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	34.47 грн
500+	26.74 грн
1000+	22.86 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2

на замовлення 6815 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	37.08 грн
11+	32.29 грн
100+	23.18 грн
500+	21.82 грн
1000+	21.14 грн
2500+	18.12 грн
5000+	16.68 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

на замовлення 2463 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	38.62 грн
10+	36.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPD060N03LGATMA1

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2077 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
22+	39.04 грн
50+	38.45 грн
100+	29.05 грн
500+	25.71 грн
1000+	21.92 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.