Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD060N03LGATMA1
IPD060N03LGATMA1

IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.98 грн
5000+27.52 грн
7500+27.24 грн
12500+26.01 грн
17500+23.83 грн
25000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 56W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.

Інші пропозиції IPD060N03LGATMA1 за ціною від 22.69 грн до 110.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.03 грн
5000+27.56 грн
7500+27.30 грн
12500+26.06 грн
17500+23.88 грн
25000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.06 грн
7500+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+50.25 грн
1000+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+50.25 грн
1000+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+50.25 грн
1000+46.35 грн
10000+41.32 грн
100000+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+50.25 грн
1000+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+71.25 грн
300+47.61 грн
500+37.17 грн
1000+32.58 грн
2500+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD060N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.66 грн
7+60.58 грн
10+53.23 грн
50+39.45 грн
100+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.32 грн
12+67.80 грн
100+46.99 грн
500+35.97 грн
1000+30.43 грн
2500+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+99.93 грн
209+68.21 грн
302+47.28 грн
500+36.19 грн
1000+30.61 грн
2500+24.10 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 30327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.13 грн
10+63.65 грн
50+47.51 грн
100+39.70 грн
500+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.60 грн
11+71.25 грн
100+47.61 грн
500+35.84 грн
1000+30.16 грн
2500+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd060n03l_g_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.03 грн
5000+27.56 грн
7500+27.30 грн
12500+26.06 грн
17500+23.88 грн
25000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.06 грн
7500+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
709+50.25 грн
1000+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
709+50.25 грн
1000+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
709+50.25 грн
1000+46.35 грн
10000+41.32 грн
100000+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
709+50.25 грн
1000+46.35 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+71.25 грн
300+47.61 грн
500+37.17 грн
1000+32.58 грн
2500+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LG-DTE.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+82.66 грн
7+60.58 грн
10+53.23 грн
50+39.45 грн
100+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+99.32 грн
12+67.80 грн
100+46.99 грн
500+35.97 грн
1000+30.43 грн
2500+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+99.93 грн
209+68.21 грн
302+47.28 грн
500+36.19 грн
1000+30.61 грн
2500+24.10 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 30327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.13 грн
10+63.65 грн
50+47.51 грн
100+39.70 грн
500+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+110.60 грн
11+71.25 грн
100+47.61 грн
500+35.84 грн
1000+30.16 грн
2500+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 infineon_ipd060n03l_g_datasheet_en.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2
на замовлення 5538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf
IPD060N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.