Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD060N03LGATMA1
IPD060N03LGATMA1

IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD060N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD060N03LGATMA1 за ціною від 12.55 грн до 110.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
877+14.82 грн
889+14.63 грн
900+14.44 грн
912+13.74 грн
1000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 877
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+19.65 грн
46+16.29 грн
47+15.31 грн
100+14.00 грн
250+13.26 грн
500+13.09 грн
1000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.76 грн
5000+17.55 грн
7500+16.80 грн
12500+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.40 грн
5000+22.33 грн
7500+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.87 грн
5000+23.68 грн
7500+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
447+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 447
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
995+32.69 грн
1078+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 995
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
995+32.69 грн
1078+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 995
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
995+32.69 грн
1078+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 995
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd060n03lg-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
995+32.69 грн
1078+30.14 грн
10000+26.86 грн
100000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 995
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.33 грн
500+25.86 грн
1000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD060N03L G-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2
на замовлення 6811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.48 грн
11+30.03 грн
100+21.55 грн
500+20.29 грн
1000+19.66 грн
2500+16.85 грн
5000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 32652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.98 грн
10+47.76 грн
100+31.39 грн
500+22.84 грн
1000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 Виробник : INFINEON IP%28D%2CF%2CS%2CU%29060N03L_G.pdf Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.56 грн
50+69.12 грн
100+45.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.