IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+56.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IPD068N10N3GATMA1 за ціною від 58.29 грн до 152.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1 Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.67 грн
10+67.65 грн
100+67.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD068N10N3G_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 32965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.12 грн
10+104.56 грн
100+64.84 грн
500+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+81.67 грн
10+67.65 грн
100+67.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 Infineon_IPD068N10N3G_DS_v02_02_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 32965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+152.12 грн
10+104.56 грн
100+64.84 грн
500+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.