Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD068N10N3GATMA1
IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies

ipd068n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1fol..pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm.

Інші пропозиції IPD068N10N3GATMA1 за ціною від 31.13 грн до 239.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipd068n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1fol..pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1 Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipd068n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1fol..pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipd068n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1fol..pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1 Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.62 грн
10+65.95 грн
100+65.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipd068n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1fol..pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+88.29 грн
10+80.51 грн
25+79.70 грн
100+73.39 грн
250+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipd068n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1fol..pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+88.29 грн
178+80.51 грн
180+79.70 грн
188+73.39 грн
250+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd068n10n3_g_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 31026 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+239.43 грн
10+118.00 грн
100+74.03 грн
500+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 ipd068n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1fol..pdf
IPD068N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1
IPD068N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+55.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 ipd068n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1fol..pdf
IPD068N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 ipd068n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1fol..pdf
IPD068N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+68.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1
IPD068N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.62 грн
10+65.95 грн
100+65.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 ipd068n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1fol..pdf
IPD068N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+88.29 грн
10+80.51 грн
25+79.70 грн
100+73.39 грн
250+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 ipd068n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1fol..pdf
IPD068N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
162+88.29 грн
178+80.51 грн
180+79.70 грн
188+73.39 грн
250+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 infineon_ipd068n10n3_g_datasheet_en.pdf
IPD068N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 31026 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.43 грн
10+118.00 грн
100+74.03 грн
500+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 INFNS30354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD068N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.