IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.97 грн
5000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD068P03L3GATMA1 за ціною від 24.70 грн до 102.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.34 грн
5000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.78 грн
5000+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
676+45.60 грн
1000+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 676
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.03 грн
500+39.27 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
на замовлення 6851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.44 грн
10+61.91 грн
100+43.54 грн
500+32.07 грн
1000+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.77 грн
10+67.13 грн
100+41.57 грн
500+33.14 грн
1000+30.17 грн
2500+26.98 грн
5000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.31 грн
50+72.90 грн
100+53.03 грн
500+39.27 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Single P-Channel Power Transistor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFBF776EAAA745&compId=IPD068P03L3GATMA1.pdf?ci_sign=2440192ca958ac957a27cfd56d61e46ba5123ab7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 11mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.