IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 30.51 грн |
| 5000+ | 27.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD068P03L3GATMA1 за ціною від 26.01 грн до 107.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD068P03L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD068P03L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD068P03L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD068P03L3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD068P03L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V |
на замовлення 6851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD068P03L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 5668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD068P03L3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPD068P03L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Single P-Channel Power Transistor |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IPD068P03L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD068P03L3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPD068P03L3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3 Technology: OptiMOS™ P3 Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 100W Case: PG-TO252-3 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Drain current: -70A Drain-source voltage: -30V On-state resistance: 11mΩ |
товару немає в наявності |