Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD068P03L3GATMA1
IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.06 грн
7500+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD068P03L3GATMA1 за ціною від 32.85 грн до 130.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.62 грн
5000+40.02 грн
7500+39.62 грн
12500+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.67 грн
5000+40.07 грн
7500+39.67 грн
12500+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
676+52.71 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD068P03L3GATMA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.32 грн
9+47.04 грн
10+43.33 грн
50+38.95 грн
100+37.63 грн
500+35.49 грн
1000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+124.63 грн
165+86.75 грн
234+60.92 грн
500+47.34 грн
1000+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
на замовлення 12219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.35 грн
10+79.55 грн
50+59.79 грн
100+50.13 грн
500+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd068p03l3_g_ds_en.pdf MOSFETs P-CHANNEL (NEGATIVE)
на замовлення 7798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.62 грн
5000+40.02 грн
7500+39.62 грн
12500+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.67 грн
5000+40.07 грн
7500+39.67 грн
12500+37.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
676+52.71 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -70A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+61.32 грн
9+47.04 грн
10+43.33 грн
50+38.95 грн
100+37.63 грн
500+35.49 грн
1000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
115+124.63 грн
165+86.75 грн
234+60.92 грн
500+47.34 грн
1000+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
на замовлення 12219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.35 грн
10+79.55 грн
50+59.79 грн
100+50.13 грн
500+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 infineon_ipd068p03l3_g_ds_en.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-CHANNEL (NEGATIVE)
на замовлення 7798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.