Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD068P03L3GATMA1
IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.99 грн
7500+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD068P03L3GATMA1 за ціною від 30.14 грн до 133.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.25 грн
5000+39.66 грн
7500+39.27 грн
12500+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.30 грн
5000+39.71 грн
7500+39.32 грн
12500+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD068P03L3GATMA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+50.14 грн
11+38.77 грн
50+36.48 грн
100+35.21 грн
500+33.27 грн
1000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
676+52.24 грн
1000+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.53 грн
165+85.98 грн
234+60.38 грн
500+46.92 грн
1000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
на замовлення 12219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.71 грн
10+81.60 грн
50+61.33 грн
100+51.42 грн
500+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD068P03L3_G_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs P-CHANNEL (NEGATIVE)
на замовлення 7876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.25 грн
5000+39.66 грн
7500+39.27 грн
12500+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.30 грн
5000+39.71 грн
7500+39.32 грн
12500+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+50.14 грн
11+38.77 грн
50+36.48 грн
100+35.21 грн
500+33.27 грн
1000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
676+52.24 грн
1000+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 8677ipd068p03l3g_2.1.pdffolderiddb3a304314dca38901154a7313d21a66filei.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
115+123.53 грн
165+85.98 грн
234+60.38 грн
500+46.92 грн
1000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
на замовлення 12219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.71 грн
10+81.60 грн
50+61.33 грн
100+51.42 грн
500+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 Infineon_IPD068P03L3_G_DS_v02_01_en.pdf
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-CHANNEL (NEGATIVE)
на замовлення 7876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.