Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD075N03LGATMA1

IPD075N03LGATMA1

infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf
Код товару: 172911
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD075N03LGATMA1 за ціною від 19.29 грн до 97.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD075N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.03 грн
14+31.03 грн
15+28.01 грн
25+24.07 грн
50+21.64 грн
100+19.96 грн
500+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+59.63 грн
50+44.37 грн
100+37.01 грн
500+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD075N03LG-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2
на замовлення 4074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LG-DTE.pdf
IPD075N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.03 грн
14+31.03 грн
15+28.01 грн
25+24.07 грн
50+21.64 грн
100+19.96 грн
500+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf
IPD075N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.98 грн
10+59.63 грн
50+44.37 грн
100+37.01 грн
500+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 Infineon-IPD075N03LG-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IPD075N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2
на замовлення 4074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf
IPD075N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf
IPD075N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.