IPD075N03LGATMA1


infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf
Код товару: 172911
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD075N03LGATMA1 за ціною від 14.19 грн до 38.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.34 грн
5000+16.27 грн
7500+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.23 грн
500+21.24 грн
1000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD075N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.65 грн
17+25.45 грн
18+23.61 грн
25+21.51 грн
50+20.01 грн
100+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD075N03LG_DataSheet_v02_02_EN-3362508.pdf MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2
на замовлення 2676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.40 грн
14+23.43 грн
100+17.39 грн
500+16.41 грн
2500+16.20 грн
5000+14.33 грн
10000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd075n03lg-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
на замовлення 8392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.42 грн
13+24.71 грн
100+20.10 грн
500+17.09 грн
1000+17.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15826-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD075N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 7500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+38.70 грн
50+29.04 грн
100+25.23 грн
500+21.24 грн
1000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.