Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD079N06L3GATMA1
IPD079N06L3GATMA1

IPD079N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD079N06L3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b5528634dc0
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.13 грн
7500+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD079N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-311, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPD079N06L3GATMA1 за ціною від 41.88 грн до 145.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD079N06L3GATMA1 IPD079N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd079n06l3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2b55286.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD079N06L3GATMA1 IPD079N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd079n06l3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2b55286.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD079N06L3GATMA1 IPD079N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd079n06l3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2b55286.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.29 грн
10+92.99 грн
100+65.61 грн
500+51.03 грн
1000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD079N06L3GATMA1 IPD079N06L3GATMA1 Infineon Technologies ipd079n06l3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2b55286.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+135.10 грн
152+93.55 грн
215+66.00 грн
500+51.33 грн
1000+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD079N06L3GATMA1 IPD079N06L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD079N06L3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b5528634dc0 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 8026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+89.44 грн
50+67.48 грн
100+56.67 грн
500+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD079N06L3GATMA1 IPD079N06L3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD079N06L3_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD079N06L3GATMA1 ipd079n06l3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2b55286.pdf
IPD079N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD079N06L3GATMA1 ipd079n06l3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2b55286.pdf
IPD079N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD079N06L3GATMA1 ipd079n06l3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2b55286.pdf
IPD079N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+134.29 грн
10+92.99 грн
100+65.61 грн
500+51.03 грн
1000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD079N06L3GATMA1 ipd079n06l3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e2b55286.pdf
IPD079N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
105+135.10 грн
152+93.55 грн
215+66.00 грн
500+51.33 грн
1000+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD079N06L3GATMA1 Infineon-IPD079N06L3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e2b5528634dc0
IPD079N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 8026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.01 грн
10+89.44 грн
50+67.48 грн
100+56.67 грн
500+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD079N06L3GATMA1 Infineon_IPD079N06L3_DS_v02_00_en.pdf
IPD079N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.