Продукція > INFINEON > IPD079N06L3GBTMA1

IPD079N06L3GBTMA1 INFINEON

INFNS15827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPD079N06L3GBTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IPD079N06L3GBTMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPD079N06L3GBTMA1	Виробник : INFINEON	Description: INFINEON - IPD079N06L3GBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0063 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)	на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IPD079N06L3GBTMA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPD079N06L3GBTMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPD079N06L3GBTMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPD079N06L3GBTMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.