Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD082N10N3GATMA1
IPD082N10N3GATMA1

IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies

ipi086n10n3gxk.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD082N10N3GATMA1 за ціною від 47.71 грн до 181.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.03 грн
500+67.93 грн
1000+62.40 грн
5000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD082N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+86.22 грн
10+62.27 грн
100+53.37 грн
250+50.14 грн
500+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD082N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
10+77.60 грн
100+64.05 грн
250+60.17 грн
500+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.21 грн
10+88.83 грн
100+76.03 грн
500+67.93 грн
1000+62.40 грн
5000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP086N10N3G_DS_v02_06_en-1732006.pdf MOSFETs N
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.59 грн
10+107.13 грн
100+77.24 грн
250+75.07 грн
500+66.92 грн
1000+61.80 грн
2500+59.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+168.86 грн
81+153.87 грн
83+151.42 грн
100+122.61 грн
250+110.90 грн
500+87.34 грн
1000+68.34 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+180.92 грн
10+164.86 грн
25+162.24 грн
100+131.37 грн
250+118.82 грн
500+93.58 грн
1000+73.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 13807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.39 грн
10+112.57 грн
100+76.99 грн
500+57.96 грн
1000+57.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1
Код товару: 143398
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.