Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD082N10N3GATMA1

IPD082N10N3GATMA1

Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
Код товару: 143398
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD082N10N3GATMA1 за ціною від 47.66 грн до 191.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.67 грн
7500+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD082N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 622 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.47 грн
5+128.67 грн
10+113.43 грн
50+82.11 грн
100+72.80 грн
250+62.64 грн
500+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
на замовлення 17288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.13 грн
10+114.89 грн
50+87.45 грн
100+73.74 грн
500+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.61 грн
10+174.60 грн
25+171.83 грн
100+139.14 грн
250+125.84 грн
500+99.11 грн
1000+77.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies ipi086n10n3gxk.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.61 грн
81+174.60 грн
83+171.83 грн
100+139.14 грн
250+125.84 грн
500+99.11 грн
1000+77.54 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 4953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+54.67 грн
7500+47.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3G-DTE.pdf
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 622 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+170.47 грн
5+128.67 грн
10+113.43 грн
50+82.11 грн
100+72.80 грн
250+62.64 грн
500+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
на замовлення 17288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.13 грн
10+114.89 грн
50+87.45 грн
100+73.74 грн
500+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 ipi086n10n3gxk.pdf
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+191.61 грн
10+174.60 грн
25+171.83 грн
100+139.14 грн
250+125.84 грн
500+99.11 грн
1000+77.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 ipi086n10n3gxk.pdf
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
74+191.61 грн
81+174.60 грн
83+171.83 грн
100+139.14 грн
250+125.84 грн
500+99.11 грн
1000+77.54 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 4953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 Infineon-IPP086N10N3G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.