Інші пропозиції IPD082N10N3GATMA1 за ціною від 47.49 грн до 188.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD082N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 14494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 125W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1561 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 73A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V |
на замовлення 13807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 10037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD082N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |