Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD090N03LGATMA1
IPD090N03LGATMA1

IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies

ipd090n03lg_rev1.061.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.

Інші пропозиції IPD090N03LGATMA1 за ціною від 15.09 грн до 96.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD090N03LG-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127d89522867181 Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+23.86 грн
28+21.92 грн
100+18.23 грн
250+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD090N03LG-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127d89522867181 Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.18 грн
500+18.22 грн
1000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD090N03LG-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127d89522867181 Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 75513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.52 грн
10+37.64 грн
100+26.09 грн
500+21.72 грн
1000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD090N03LG-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127d89522867181 Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.88 грн
50+38.18 грн
100+28.74 грн
500+23.66 грн
1000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD090N03L_G_DataSheet_v02_01_EN-3362326.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A DPAK-2
на замовлення 21110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.19 грн
10+43.73 грн
100+25.47 грн
500+22.21 грн
1000+20.03 грн
2500+16.76 грн
25000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.59 грн
10+47.09 грн
35+26.00 грн
95+24.57 грн
500+24.34 грн
1000+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.71 грн
10+58.68 грн
35+31.20 грн
95+29.48 грн
500+29.21 грн
1000+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.