Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD090N03LGATMA1
IPD090N03LGATMA1

IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies

ipd090n03lg_rev1.061.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.50 грн
7500+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.

Інші пропозиції IPD090N03LGATMA1 за ціною від 21.24 грн до 96.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.50 грн
7500+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.88 грн
7500+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.21 грн
7500+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD090N03LG-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127d89522867181 Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.94 грн
7500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 297500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.78 грн
150000+29.96 грн
225000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD090N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.87 грн
10+44.46 грн
50+31.90 грн
100+27.83 грн
500+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD090N03LG-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127d89522867181 Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 90800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.74 грн
10+58.11 грн
50+43.11 грн
100+35.89 грн
500+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD090N03L_G_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A DPAK-2
на замовлення 5133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON INFNS16588-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 3497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON INFNS16588-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 3497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 ipd090n03lg_rev1.061.pdf
IPD090N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.50 грн
7500+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 ipd090n03lg_rev1.061.pdf
IPD090N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.88 грн
7500+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 ipd090n03lg_rev1.061.pdf
IPD090N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.21 грн
7500+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 Infineon-IPD090N03LG-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127d89522867181
IPD090N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.94 грн
7500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 ipd090n03lg_rev1.061.pdf
IPD090N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 297500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.78 грн
150000+29.96 грн
225000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LG-DTE.pdf
IPD090N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+64.87 грн
10+44.46 грн
50+31.90 грн
100+27.83 грн
500+26.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 Infineon-IPD090N03LG-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127d89522867181
IPD090N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 90800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.74 грн
10+58.11 грн
50+43.11 грн
100+35.89 грн
500+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 Infineon_IPD090N03L_G_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPD090N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 40A DPAK-2
на замовлення 5133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 INFNS16588-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD090N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 3497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 INFNS16588-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD090N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 3497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.