Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD090N03LGATMA1
IPD090N03LGATMA1

IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies

ipd090n03lg_rev1.061.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.

Інші пропозиції IPD090N03LGATMA1 за ціною від 14.40 грн до 64.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD090N03LG-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127d89522867181 Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.74 грн
5000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.81 грн
5000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.87 грн
5000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+28.34 грн
28+24.90 грн
43+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16588-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.26 грн
500+24.50 грн
1000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD090N03LG-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304327b897500127d89522867181 Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 32383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.72 грн
11+29.38 грн
100+25.40 грн
500+20.86 грн
1000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD090N03L_G_DataSheet_v02_01_EN-3362326.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A DPAK-2
на замовлення 20075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.73 грн
11+32.09 грн
100+24.12 грн
500+21.63 грн
1000+19.51 грн
2500+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS16588-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.13 грн
50+32.06 грн
100+29.26 грн
500+24.50 грн
1000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+53.44 грн
10+41.90 грн
11+39.30 грн
35+27.10 грн
94+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.13 грн
6+52.22 грн
10+47.16 грн
35+32.51 грн
94+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd090n03lg_rev1.061.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.