Інші пропозиції IPD090N03LGBTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD090N03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IPD090N03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IPD090N03LGBTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |