IPD100N04S4-02 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 203.36 грн |
| 73+ | 195.61 грн |
| 100+ | 188.98 грн |
| 250+ | 176.70 грн |
| 500+ | 159.16 грн |
| 1000+ | 149.06 грн |
| 2500+ | 145.77 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
70 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD100N04S4-02 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 100A; 150W; DPAK3; automotive industry, Mounting: SMD, Power dissipation: 150W, Gate charge: 91nC, Drain current: 100A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 40V, Application: automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Case: DPAK3.
Інші пропозиції IPD100N04S4-02 за ціною від 91.41 грн до 159.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD100N04S4-02 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
на замовлення 5028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPD100N04S4-02 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 100A; 150W; DPAK3; automotive industry Mounting: SMD Power dissipation: 150W Gate charge: 91nC Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: DPAK3 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPD100N04S4-02 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
MOSFETs N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 5028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPD100N04S4-02 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 100A; 150W; DPAK3; automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 91nC
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 100A; 150W; DPAK3; automotive industry
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 91nC
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: DPAK3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 159.86 грн |
| 30+ | 116.57 грн |
| 50+ | 109.86 грн |
| 100+ | 105.67 грн |
| 300+ | 92.25 грн |
| 500+ | 91.41 грн |