Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD100N04S402ATMA1
IPD100N04S402ATMA1

IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies

infineonipd100n04s402dsv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+64.38 грн
5000+61.77 грн
7500+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

Інші пропозиції IPD100N04S402ATMA1 за ціною від 57.83 грн до 181.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd100n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.38 грн
5000+61.77 грн
7500+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd100n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.26 грн
5000+70.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd100n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.63 грн
5000+70.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd100n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 94899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+111.19 грн
500+100.08 грн
1000+92.29 грн
10000+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd100n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.34 грн
100+111.61 грн
500+89.46 грн
1000+79.46 грн
2500+66.65 грн
5000+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies infineonipd100n04s402dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.34 грн
127+111.61 грн
500+89.46 грн
1000+79.46 грн
2500+66.65 грн
5000+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.97 грн
10+112.53 грн
50+85.59 грн
100+72.15 грн
500+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 INFINEON INFNS15017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 35198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 INFINEON INFNS15017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 35198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 Infineon Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 infineonipd100n04s402dsv0100en.pdf
IPD100N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+64.38 грн
5000+61.77 грн
7500+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 infineonipd100n04s402dsv0100en.pdf
IPD100N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+73.26 грн
5000+70.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 infineonipd100n04s402dsv0100en.pdf
IPD100N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+73.63 грн
5000+70.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 infineonipd100n04s402dsv0100en.pdf
IPD100N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 94899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
318+111.19 грн
500+100.08 грн
1000+92.29 грн
10000+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 infineonipd100n04s402dsv0100en.pdf
IPD100N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+163.34 грн
100+111.61 грн
500+89.46 грн
1000+79.46 грн
2500+66.65 грн
5000+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 infineonipd100n04s402dsv0100en.pdf
IPD100N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+163.34 грн
127+111.61 грн
500+89.46 грн
1000+79.46 грн
2500+66.65 грн
5000+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f
IPD100N04S402ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.97 грн
10+112.53 грн
50+85.59 грн
100+72.15 грн
500+57.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 INFNS15017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD100N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 35198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 INFNS15017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD100N04S402ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 35198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f
Виробник: Infineon
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.