Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD100N04S402ATMA1
IPD100N04S402ATMA1

IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies

ipd100n04s4-02_ds_1_0.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD100N04S402ATMA1 за ціною від 42.16 грн до 180.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd100n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd100n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 36198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.54 грн
500+56.67 грн
1000+48.90 грн
5000+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd100n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+128.66 грн
108+119.09 грн
140+91.66 грн
200+83.46 грн
500+67.03 грн
1000+62.89 грн
2000+62.80 грн
5000+57.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd100n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+161.72 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Виробник : INFINEON INFNS15017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD100N04S402ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 36188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.50 грн
10+106.86 грн
100+79.66 грн
500+56.50 грн
1000+48.90 грн
5000+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.54 грн
10+111.86 грн
100+76.40 грн
500+57.47 грн
1000+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd100n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd100n04s4-02_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD100N04S4_02_DS_v01_00_en-3360273.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S402ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD100N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c8301be5e3f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.