IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 63.77 грн |
| 5000+ | 62.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPD100N04S402ATMA1 за ціною від 50.71 грн до 173.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPD100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 130 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPD100N04S402ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 100A; Idm: 100A; 150W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Gate charge: 118nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IPD100N04S402ATMA1 | Infineon |
|
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPD100N04S402ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 63.77 грн |
| 5000+ | 62.08 грн |
| IPD100N04S402ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 318+ | 111.44 грн |
| 500+ | 100.31 грн |
| 1000+ | 92.50 грн |
| 10000+ | 79.52 грн |
| IPD100N04S402ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.58 грн |
| 10+ | 107.08 грн |
| 100+ | 73.20 грн |
| 500+ | 55.06 грн |
| 1000+ | 50.71 грн |
| IPD100N04S402ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD100N04S402ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 100A; Idm: 100A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 100A; Idm: 100A; 150W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 118nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 65.18 грн |
| IPD100N04S402ATMA1 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)