IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 63.77 грн |
| 5000+ | 62.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD100N04S402ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPD100N04S402ATMA1 за ціною від 51.30 грн до 175.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 100A; Idm: 100A; 150W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Gate charge: 118nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IPD100N04S402ATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |