IPD100N04S4L02ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 318+ | 111.69 грн |
| 500+ | 100.53 грн |
| 1000+ | 92.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD100N04S4L02ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPD100N04S4L02ATMA1 за ціною від 47.56 грн до 182.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD100N04S4L02ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPD100N04S4L02ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2071 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPD100N04S4L02ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 2413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPD100N04S4L02ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 318+ | 111.69 грн |
| 500+ | 100.53 грн |
| 1000+ | 92.70 грн |
| IPD100N04S4L02ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.97 грн |
| 10+ | 107.32 грн |
| 100+ | 73.36 грн |
| 500+ | 55.18 грн |
| 1000+ | 50.83 грн |
| IPD100N04S4L02ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 182.02 грн |
| 10+ | 115.11 грн |
| 100+ | 68.90 грн |
| 500+ | 54.95 грн |
| 1000+ | 50.67 грн |
| 2500+ | 47.56 грн |