Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD100N06S403ATMA2
IPD100N06S403ATMA2

IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies

INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Інші пропозиції IPD100N06S403ATMA2 за ціною від 65.20 грн до 229.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
500+114.56 грн
1000+105.65 грн
10000+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
500+114.56 грн
1000+105.65 грн
10000+90.83 грн
100000+70.46 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.46 грн
10+110.96 грн
25+109.16 грн
50+104.20 грн
100+80.38 грн
250+75.10 грн
500+73.47 грн
1000+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.46 грн
128+110.96 грн
130+109.16 грн
131+104.20 грн
158+80.38 грн
250+75.10 грн
500+73.47 грн
1000+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.17 грн
10+139.54 грн
100+96.52 грн
500+73.35 грн
1000+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon TIPD100n06s403_INFINEON_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+229.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 INFINEON 2820329.pdf Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD100N06S4_03_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 3713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 INFINEON 2820329.pdf Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 Infineon INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+127.29 грн
500+114.56 грн
1000+105.65 грн
10000+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+127.29 грн
500+114.56 грн
1000+105.65 грн
10000+90.83 грн
100000+70.46 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+165.46 грн
10+110.96 грн
25+109.16 грн
50+104.20 грн
100+80.38 грн
250+75.10 грн
500+73.47 грн
1000+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+165.46 грн
128+110.96 грн
130+109.16 грн
131+104.20 грн
158+80.38 грн
250+75.10 грн
500+73.47 грн
1000+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.17 грн
10+139.54 грн
100+96.52 грн
500+73.35 грн
1000+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403_INFINEON_0001.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+229.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 2820329.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 Infineon_IPD100N06S4_03_DS_v01_00_en.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 3713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 2820329.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 INFNS14378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.