Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD100N06S403ATMA2
IPD100N06S403ATMA2

IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies

infineon-ipd100n06s4-03-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Інші пропозиції IPD100N06S403ATMA2 за ціною від 67.78 грн до 251.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+131.54 грн
500+118.39 грн
1000+109.18 грн
10000+93.87 грн
100000+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+131.54 грн
500+118.39 грн
1000+109.18 грн
10000+93.87 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.89 грн
10+115.33 грн
25+113.46 грн
50+108.32 грн
100+83.57 грн
250+78.07 грн
500+76.39 грн
1000+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+171.89 грн
127+115.33 грн
129+113.46 грн
131+108.32 грн
157+83.57 грн
250+78.07 грн
500+76.39 грн
1000+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd100n06s4-03-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.20 грн
10+144.34 грн
50+110.71 грн
100+93.74 грн
500+75.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon TIPD100n06s403_INFINEON_0001.pdf IPD100N06S403ATMA2 Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; TIPD100n06s403
на замовлення 8 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
3+237.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 Infineon Technologies infineon_ipd100n06s4_03_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+251.37 грн
10+160.58 грн
100+96.09 грн
500+80.33 грн
1000+74.25 грн
2500+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 INFINEON 2820329.pdf Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 IPD100N06S403ATMA2 INFINEON 2820329.pdf Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+131.54 грн
500+118.39 грн
1000+109.18 грн
10000+93.87 грн
100000+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 22623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+131.54 грн
500+118.39 грн
1000+109.18 грн
10000+93.87 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+171.89 грн
10+115.33 грн
25+113.46 грн
50+108.32 грн
100+83.57 грн
250+78.07 грн
500+76.39 грн
1000+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 infineonipd100n06s403dsv0100en.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+171.89 грн
127+115.33 грн
129+113.46 грн
131+108.32 грн
157+83.57 грн
250+78.07 грн
500+76.39 грн
1000+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 infineon-ipd100n06s4-03-datasheet-cn.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.20 грн
10+144.34 грн
50+110.71 грн
100+93.74 грн
500+75.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403_INFINEON_0001.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: Infineon
IPD100N06S403ATMA2 Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; TIPD100n06s403
на замовлення 8 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+237.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 infineon_ipd100n06s4_03_datasheet_en.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.37 грн
10+160.58 грн
100+96.09 грн
500+80.33 грн
1000+74.25 грн
2500+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 2820329.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2 2820329.pdf
IPD100N06S403ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.