Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD110N12N3GATMA1
IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
258+54.85 грн
269+52.65 грн
500+50.75 грн
1000+47.34 грн
2500+42.54 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.

Інші пропозиції IPD110N12N3GATMA1 за ціною від 71.18 грн до 228.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.84 грн
5000+82.06 грн
7500+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.88 грн
5000+83.10 грн
7500+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+101.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.34 грн
105+135.54 грн
123+114.80 грн
200+104.56 грн
1000+87.28 грн
2000+78.96 грн
5000+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.41 грн
10+192.80 грн
25+191.55 грн
100+154.72 грн
250+138.24 грн
500+110.02 грн
1000+92.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+213.41 грн
74+191.55 грн
100+154.72 грн
250+138.24 грн
500+110.02 грн
1000+92.55 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.91 грн
10+151.20 грн
100+114.36 грн
500+91.06 грн
1000+76.11 грн
2500+71.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.47 грн
93+152.24 грн
123+115.15 грн
500+91.69 грн
1000+76.64 грн
2500+71.67 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD_S110N12N3_G-DS-v02_04-EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300581-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 23798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300581-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+82.84 грн
5000+82.06 грн
7500+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+82.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+82.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+83.88 грн
5000+83.10 грн
7500+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+88.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+101.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+146.34 грн
105+135.54 грн
123+114.80 грн
200+104.56 грн
1000+87.28 грн
2000+78.96 грн
5000+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+213.41 грн
10+192.80 грн
25+191.55 грн
100+154.72 грн
250+138.24 грн
500+110.02 грн
1000+92.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+213.41 грн
74+191.55 грн
100+154.72 грн
250+138.24 грн
500+110.02 грн
1000+92.55 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+226.91 грн
10+151.20 грн
100+114.36 грн
500+91.06 грн
1000+76.11 грн
2500+71.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+228.47 грн
93+152.24 грн
123+115.15 грн
500+91.69 грн
1000+76.64 грн
2500+71.67 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 Infineon-IPD_S110N12N3_G-DS-v02_04-EN.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 INFN-S-A0001300581-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 23798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 INFN-S-A0001300581-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.