Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD110N12N3GATMA1
IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd110n12n3-g-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+54.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.

Інші пропозиції IPD110N12N3GATMA1 за ціною від 44.06 грн до 236.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+56.81 грн
269+54.53 грн
500+52.56 грн
1000+49.03 грн
2500+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.80 грн
5000+84.99 грн
7500+84.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.88 грн
5000+86.07 грн
7500+85.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+151.57 грн
105+140.38 грн
123+118.90 грн
200+108.30 грн
1000+90.40 грн
2000+81.78 грн
5000+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd110n12n3-g-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.49 грн
10+114.07 грн
50+86.72 грн
100+73.11 грн
500+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd110n12n3-g-datasheet-cn.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+203.20 грн
10+113.96 грн
100+75.82 грн
500+59.61 грн
2500+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.03 грн
10+199.68 грн
25+198.39 грн
100+160.25 грн
250+143.18 грн
500+113.95 грн
1000+95.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+221.03 грн
74+198.39 грн
100+160.25 грн
250+143.18 грн
500+113.95 грн
1000+95.86 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.02 грн
10+156.60 грн
100+118.45 грн
500+94.32 грн
1000+78.83 грн
2500+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+236.63 грн
93+157.68 грн
123+119.27 грн
500+94.97 грн
1000+79.38 грн
2500+74.23 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 INFINEON infineon-ipd110n12n3-g-datasheet-cn.pdf Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 INFINEON infineon-ipd110n12n3-g-datasheet-cn.pdf Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
258+56.81 грн
269+54.53 грн
500+52.56 грн
1000+49.03 грн
2500+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+85.80 грн
5000+84.99 грн
7500+84.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+85.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+85.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+86.88 грн
5000+86.07 грн
7500+85.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+92.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+105.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+151.57 грн
105+140.38 грн
123+118.90 грн
200+108.30 грн
1000+90.40 грн
2000+81.78 грн
5000+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd110n12n3-g-datasheet-cn.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.49 грн
10+114.07 грн
50+86.72 грн
100+73.11 грн
500+58.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd110n12n3-g-datasheet-cn.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.20 грн
10+113.96 грн
100+75.82 грн
500+59.61 грн
2500+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+221.03 грн
10+199.68 грн
25+198.39 грн
100+160.25 грн
250+143.18 грн
500+113.95 грн
1000+95.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+221.03 грн
74+198.39 грн
100+160.25 грн
250+143.18 грн
500+113.95 грн
1000+95.86 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+235.02 грн
10+156.60 грн
100+118.45 грн
500+94.32 грн
1000+78.83 грн
2500+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+236.63 грн
93+157.68 грн
123+119.27 грн
500+94.97 грн
1000+79.38 грн
2500+74.23 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd110n12n3-g-datasheet-cn.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd110n12n3-g-datasheet-cn.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.