Продукція > INFINEON > IPD110N12N3GATMA1
IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1 INFINEON

INFN-S-A0001300581-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.02 грн
500+62.23 грн
1000+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD110N12N3GATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD110N12N3GATMA1 за ціною від 56.05 грн до 211.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+96.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+100.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+144.71 грн
105+134.03 грн
123+113.52 грн
200+103.40 грн
1000+86.31 грн
2000+78.08 грн
5000+76.26 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : INFINEON dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+163.07 грн
50+103.85 грн
100+80.73 грн
500+61.93 грн
1000+56.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD_S110N12N3_G_DS_v02_04_EN-1226925.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 24495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.30 грн
10+115.16 грн
100+75.80 грн
250+73.71 грн
500+60.71 грн
1000+56.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 2623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.54 грн
10+117.52 грн
100+80.62 грн
500+60.86 грн
1000+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+211.03 грн
10+190.65 грн
25+189.41 грн
100+153.00 грн
250+136.70 грн
500+108.79 грн
1000+91.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+211.03 грн
74+189.41 грн
100+153.00 грн
250+136.70 грн
500+108.79 грн
1000+91.52 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a30432239cccd0122a7a49e2b7d1d Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD_S110N12N3_G-DS-v02_04-EN.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 120, Id = 75, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 60, Qg, нКл = 65 @ 10 B, Rds = 11 мОм @ 75 A, 1 B, Ugs(th) = 3 @ 83 мА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.