Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD110N12N3GATMA1
IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
258+55.46 грн
269+53.23 грн
500+51.31 грн
1000+47.87 грн
2500+43.01 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 258 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.

Інші пропозиції IPD110N12N3GATMA1 за ціною від 49.99 грн до 231.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.76 грн
5000+82.97 грн
7500+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.82 грн
5000+84.03 грн
7500+83.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+89.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+147.97 грн
105+137.05 грн
123+116.08 грн
200+105.73 грн
1000+88.26 грн
2000+79.84 грн
5000+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd110n12n3-g-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.80 грн
10+110.10 грн
50+83.73 грн
100+70.60 грн
500+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd110n12n3-g-datasheet-en.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+198.38 грн
10+111.26 грн
100+74.03 грн
500+58.20 грн
2500+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.79 грн
10+194.95 грн
25+193.68 грн
100+156.45 грн
250+139.78 грн
500+111.25 грн
1000+93.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+215.79 грн
74+193.68 грн
100+156.45 грн
250+139.78 грн
500+111.25 грн
1000+93.58 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.44 грн
10+152.88 грн
100+115.64 грн
500+92.08 грн
1000+76.96 грн
2500+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+231.02 грн
93+153.94 грн
123+116.44 грн
500+92.71 грн
1000+77.50 грн
2500+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300581-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 IPD110N12N3GATMA1 INFINEON infineon-ipd110n12n3-g-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+83.76 грн
5000+82.97 грн
7500+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+83.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+83.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+84.82 грн
5000+84.03 грн
7500+83.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+89.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+102.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+147.97 грн
105+137.05 грн
123+116.08 грн
200+105.73 грн
1000+88.26 грн
2000+79.84 грн
5000+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd110n12n3-g-datasheet-en.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.80 грн
10+110.10 грн
50+83.73 грн
100+70.60 грн
500+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd110n12n3-g-datasheet-en.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+198.38 грн
10+111.26 грн
100+74.03 грн
500+58.20 грн
2500+49.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+215.79 грн
10+194.95 грн
25+193.68 грн
100+156.45 грн
250+139.78 грн
500+111.25 грн
1000+93.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+215.79 грн
74+193.68 грн
100+156.45 грн
250+139.78 грн
500+111.25 грн
1000+93.58 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+229.44 грн
10+152.88 грн
100+115.64 грн
500+92.08 грн
1000+76.96 грн
2500+71.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd_s110n12n3_g-ds-v02_04-en.pdffileiddb3a30432239cccd01.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+231.02 грн
93+153.94 грн
123+116.44 грн
500+92.71 грн
1000+77.50 грн
2500+72.47 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 INFN-S-A0001300581-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1 infineon-ipd110n12n3-g-datasheet-en.pdf
IPD110N12N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.