на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 50.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD11DP10NMATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPD11DP10NMATMA1 за ціною від 36.14 грн до 131.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 P-Channel Power MOSFET |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P-Channel Power MOSFET |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V |
на замовлення 2586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P-Channel Power MOSFET |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP001656992 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P-Channel Power MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V |
товар відсутній |