IPD11DP10NMATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 39.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD11DP10NMATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD11DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.0889 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0889ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0889ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IPD11DP10NMATMA1 за ціною від 39.28 грн до 152.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P-Channel Power MOSFET |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P-Channel Power MOSFET |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P-Channel Power MOSFET |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD11DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.0889 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0889ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0889ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V |
на замовлення 3197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P-Channel Power MOSFET |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD11DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.0889 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0889ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 2476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP001656992 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IPD11DP10NMATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
P-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |