Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD122N10N3GATMA1
IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd122n10n3-g-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.74 грн
7500+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 94W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm.

Інші пропозиції IPD122N10N3GATMA1 за ціною від 40.54 грн до 164.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipd122n10n3-g-datasheet-cn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+149.63 грн
5+86.07 грн
10+78.87 грн
20+72.69 грн
21+47.19 грн
57+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd122n10n3-g-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 16671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.61 грн
10+94.70 грн
50+71.52 грн
100+60.10 грн
500+47.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+153.68 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd122n10n3_g_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 11976 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+164.66 грн
10+78.74 грн
100+61.11 грн
500+48.65 грн
1000+46.70 грн
2500+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
на замовлення 37039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
на замовлення 37039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+59.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+77.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 infineon-ipd122n10n3-g-datasheet-cn.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+149.63 грн
5+86.07 грн
10+78.87 грн
20+72.69 грн
21+47.19 грн
57+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 infineon-ipd122n10n3-g-datasheet-cn.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 16671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.61 грн
10+94.70 грн
50+71.52 грн
100+60.10 грн
500+47.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+153.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+153.68 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 infineon_ipd122n10n3_g_datasheet_en.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 11976 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+164.66 грн
10+78.74 грн
100+61.11 грн
500+48.65 грн
1000+46.70 грн
2500+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
на замовлення 37039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
на замовлення 37039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.