Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD122N10N3GATMA1
IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.15 грн
7500+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 94W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm.

Інші пропозиції IPD122N10N3GATMA1 за ціною від 39.49 грн до 160.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+145.76 грн
5+83.85 грн
10+76.83 грн
20+70.81 грн
21+45.97 грн
57+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 16676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.09 грн
10+91.21 грн
50+68.90 грн
100+57.91 грн
500+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+149.71 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd122n10n3_g_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 11976 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+160.40 грн
10+76.70 грн
100+59.53 грн
500+47.39 грн
1000+45.49 грн
2500+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
на замовлення 37039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
на замовлення 37039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+75.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+145.76 грн
5+83.85 грн
10+76.83 грн
20+70.81 грн
21+45.97 грн
57+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 16676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.09 грн
10+91.21 грн
50+68.90 грн
100+57.91 грн
500+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+149.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+149.71 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 infineon_ipd122n10n3_g_datasheet_en.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 11976 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.40 грн
10+76.70 грн
100+59.53 грн
500+47.39 грн
1000+45.49 грн
2500+39.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
на замовлення 37039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
на замовлення 37039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.