IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 40.54 грн |
| 5000+ | 36.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPD122N10N3GATMA1 за ціною від 35.05 грн до 167.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD122N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD122N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD122N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 65179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD122N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD122N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2234 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD122N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 19397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD122N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V |
на замовлення 27785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD122N10N3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 65179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD122N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IPD122N10N3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |