Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD122N10N3GATMA1
IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+41.08 грн
5000+37.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD122N10N3GATMA1 за ціною від 35.52 грн до 170.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.43 грн
500+50.62 грн
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.17 грн
11+70.27 грн
25+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+108.17 грн
5+91.63 грн
10+78.39 грн
20+66.85 грн
50+55.15 грн
100+49.04 грн
500+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD122N10N3_G_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 19397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.70 грн
10+66.14 грн
100+47.86 грн
500+39.54 грн
1000+37.50 грн
2500+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 27785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.59 грн
10+97.35 грн
100+65.99 грн
500+49.30 грн
1000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 INFINEON INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.22 грн
50+90.45 грн
100+67.43 грн
500+50.62 грн
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 IPD122N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+57.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+67.43 грн
500+50.62 грн
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+91.17 грн
11+70.27 грн
25+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+108.17 грн
5+91.63 грн
10+78.39 грн
20+66.85 грн
50+55.15 грн
100+49.04 грн
500+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 Infineon_IPD122N10N3_G_DS_v02_03_en.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 19397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+121.70 грн
10+66.14 грн
100+47.86 грн
500+39.54 грн
1000+37.50 грн
2500+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 Infineon-IPD122N10N3_G-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30432239cccd0122604a0b2e7f65
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 27785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+158.59 грн
10+97.35 грн
100+65.99 грн
500+49.30 грн
1000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 INFNS30355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+170.22 грн
50+90.45 грн
100+67.43 грн
500+50.62 грн
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 2966ipd122n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd0122604a0b2e7f65fold.pdf
IPD122N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.