Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD12CN10NGATMA1
IPD12CN10NGATMA1

IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP12CN10N-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD12CN10NGATMA1 за ціною від 44.14 грн до 133.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD12CN10NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ 2
On-state resistance: 12.4mΩ
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 67A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.65 грн
10+90.59 грн
20+80.71 грн
50+69.18 грн
100+66.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP12CN10N-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.93 грн
10+87.24 грн
100+61.93 грн
500+47.58 грн
1000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP12CN10N_DS_v01_08_en-1227332.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON INFNS30235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON INFNS30235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NG-DTE.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ 2
On-state resistance: 12.4mΩ
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 67A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+113.65 грн
10+90.59 грн
20+80.71 грн
50+69.18 грн
100+66.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 Infineon-IPP12CN10N-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.93 грн
10+87.24 грн
100+61.93 грн
500+47.58 грн
1000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 Infineon_IPP12CN10N_DS_v01_08_en-1227332.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 INFNS30235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 INFNS30235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.