Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD12CN10NGATMA1
IPD12CN10NGATMA1

IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP12CN10N-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPD12CN10NGATMA1 за ціною від 45.41 грн до 272.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp12cn10ndsv0108en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+111.41 грн
500+100.27 грн
1000+92.47 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp12cn10ndsv0108en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.74 грн
10+96.85 грн
25+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD12CN10NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 67A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 12.4mΩ
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.84 грн
10+97.43 грн
14+73.71 грн
37+69.47 грн
100+66.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP12CN10N-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.77 грн
10+89.74 грн
100+63.70 грн
500+48.95 грн
1000+45.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP12CN10N_DS_v01_08_en-1227332.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+143.64 грн
10+101.88 грн
100+63.81 грн
500+52.33 грн
1000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp12cn10ndsv0108en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.36 грн
10+220.78 грн
25+199.30 грн
100+176.07 грн
500+155.83 грн
1000+143.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp12cn10ndsv0108en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+272.36 грн
67+220.78 грн
74+199.30 грн
100+176.07 грн
500+155.83 грн
1000+143.80 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies infineonipp12cn10ndsv0108en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 infineonipp12cn10ndsv0108en.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
328+111.41 грн
500+100.27 грн
1000+92.47 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 infineonipp12cn10ndsv0108en.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+113.74 грн
10+96.85 грн
25+88.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NG-DTE.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 67A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 12.4mΩ
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+122.84 грн
10+97.43 грн
14+73.71 грн
37+69.47 грн
100+66.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 Infineon-IPP12CN10N-DS-v01_08-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c236e467c
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.77 грн
10+89.74 грн
100+63.70 грн
500+48.95 грн
1000+45.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 Infineon_IPP12CN10N_DS_v01_08_en-1227332.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.64 грн
10+101.88 грн
100+63.81 грн
500+52.33 грн
1000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 infineonipp12cn10ndsv0108en.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+272.36 грн
10+220.78 грн
25+199.30 грн
100+176.07 грн
500+155.83 грн
1000+143.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 infineonipp12cn10ndsv0108en.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
54+272.36 грн
67+220.78 грн
74+199.30 грн
100+176.07 грн
500+155.83 грн
1000+143.80 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 infineonipp12cn10ndsv0108en.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 67A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.