Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD130N10NF2SATMA1
IPD130N10NF2SATMA1

IPD130N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD130N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7f00cb13d86
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.60 грн
10+71.85 грн
100+48.04 грн
500+35.51 грн
1000+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD130N10NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPD130N10NF2SATMA1 за ціною від 27.69 грн до 123.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD130N10NF2SATMA1 IPD130N10NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD130N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.57 грн
10+77.38 грн
100+44.86 грн
500+35.37 грн
1000+32.33 грн
2000+30.32 грн
4000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1 IPD130N10NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD130N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7f00cb13d86 Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD130N10NF2SATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD130N10NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181c7f00cb13d86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; 71W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 52A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK3
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.6nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.