Продукція > INFINE > IPD135N03LG

IPD135N03LG infine


INFNS29213-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: infine
07+ SOP8
на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD135N03LG infine

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPD135N03LG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD135N03LG Виробник : infineon INFNS29213-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD135N03LG Виробник : Infineon INFNS29213-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 0706+
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD135N03LG Виробник : Infineon technologies INFNS29213-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 928 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPD135N03L G
Код товару: 128409
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPD135N03LG IPD135N03LG Виробник : Infineon Technologies INFNS29213-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товар відсутній
IPD135N03L G IPD135N03L G Виробник : Infineon Technologies IPD135N03LG_rev2.1-95895.pdf MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS 3
товар відсутній