Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD135N03LGATMA1
IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1 Infineon Technologies

IPD135N03LG_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304327b897500127b8b9540f0003
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+19.43 грн
5000+17.26 грн
7500+15.64 грн
17500+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD135N03LGATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IPD135N03LGATMA1 за ціною від 12.05 грн до 55.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD135N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 681 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.37 грн
15+29.86 грн
50+24.60 грн
100+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 Infineon Technologies IPD135N03LG_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304327b897500127b8b9540f0003 Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 28599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.44 грн
10+31.08 грн
100+23.39 грн
500+19.66 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD135N03LG_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2
на замовлення 17033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.18 грн
10+35.66 грн
100+22.20 грн
500+17.06 грн
1000+15.37 грн
2500+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LG-DTE.pdf
IPD135N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 681 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+38.37 грн
15+29.86 грн
50+24.60 грн
100+24.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LG_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304327b897500127b8b9540f0003
IPD135N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 28599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.44 грн
10+31.08 грн
100+23.39 грн
500+19.66 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 Infineon_IPD135N03LG_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPD135N03LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2
на замовлення 17033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.18 грн
10+35.66 грн
100+22.20 грн
500+17.06 грн
1000+15.37 грн
2500+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.