Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

Infineon-IPD135N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011ae8b1143256d4
Код товару: 164353
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD135N08N3GATMA1 за ціною від 30.71 грн до 181.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD135N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011ae8b1143256d4 Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.66 грн
7500+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
565+64.71 грн
1000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
565+64.71 грн
1000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
565+64.71 грн
1000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD135N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011ae8b1143256d4 Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
на замовлення 11262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.85 грн
10+78.99 грн
50+59.34 грн
100+49.72 грн
500+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd135n08n3_ds_en.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 7659 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+141.01 грн
10+64.06 грн
100+43.84 грн
500+36.79 грн
1000+35.13 грн
2500+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+149.19 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.85 грн
10+115.23 грн
50+86.55 грн
100+74.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 INFINEON INFNS30356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 Infineon Technologies 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 IPD135N08N3GATMA1 INFINEON INFNS30356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 Infineon-IPD135N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011ae8b1143256d4
IPD135N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.66 грн
7500+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf
IPD135N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf
IPD135N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf
IPD135N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
565+64.71 грн
1000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf
IPD135N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
565+64.71 грн
1000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf
IPD135N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
565+64.71 грн
1000+59.67 грн
Мінімальне замовлення: 565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 Infineon-IPD135N08N3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011ae8b1143256d4
IPD135N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V
на замовлення 11262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.85 грн
10+78.99 грн
50+59.34 грн
100+49.72 грн
500+39.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 infineon_ipd135n08n3_ds_en.pdf
IPD135N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 7659 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.01 грн
10+64.06 грн
100+43.84 грн
500+36.79 грн
1000+35.13 грн
2500+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf
IPD135N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
98+149.19 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf
IPD135N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+149.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf
IPD135N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+181.85 грн
10+115.23 грн
50+86.55 грн
100+74.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 INFNS30356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD135N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 2958ipd135n08n3_rev2.1.pdffileiddb3a30431add1d95011ae8b1143256d4folde.pdf
IPD135N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N08N3GATMA1 INFNS30356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD135N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD135N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45 A, 0.0114 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0114ohm
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.