Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD14N06S280ATMA2
IPD14N06S280ATMA2

IPD14N06S280ATMA2 Infineon Technologies

Infineon_IPD14N06S2_80_DS_v01_00_en-1731712.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.5 грн
10+ 40.23 грн
100+ 26.88 грн
500+ 22.07 грн
1000+ 20.23 грн
2500+ 18.97 грн
5000+ 18.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD14N06S280ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPD14N06S280ATMA2 за ціною від 21.24 грн до 55.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD14N06S280ATMA2 IPD14N06S280ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.59 грн
10+ 45.91 грн
100+ 31.82 грн
500+ 24.96 грн
1000+ 21.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPD14N06S280ATMA2
Код товару: 154372 		INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPD14N06S280ATMA2 IPD14N06S280ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd14n06s2-80_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD14N06S280ATMA2 IPD14N06S280ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS09524-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 293 pF @ 25 V
товар відсутній