Інші пропозиції IPD15N06S2L64ATMA2 за ціною від 17.25 грн до 43.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD15N06S2L64ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD15N06S2L64ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 22445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD15N06S2L64ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 3177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD15N06S2L64ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD15N06S2L64ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 22445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPD15N06S2L64ATMA2 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |