Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPD15N06S2L64ATMA2

IPD15N06S2L64ATMA2

Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t
Код товару: 122996
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD15N06S2L64ATMA2 за ціною від 17.48 грн до 39.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD15N06S2L64ATMA2 IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2 IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD15N06S2L_64_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 3177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.76 грн
10+33.07 грн
100+22.98 грн
500+20.72 грн
1000+19.88 грн
2500+18.18 грн
5000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2 IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.65 грн
10+37.80 грн
100+30.46 грн
500+26.20 грн
1000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t
IPD15N06S2L64ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon_IPD15N06S2L_64_DS_v01_00_en.pdf
IPD15N06S2L64ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 3177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+36.76 грн
10+33.07 грн
100+22.98 грн
500+20.72 грн
1000+19.88 грн
2500+18.18 грн
5000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t
IPD15N06S2L64ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+39.65 грн
10+37.80 грн
100+30.46 грн
500+26.20 грн
1000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.