IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 22.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPD15N06S2L64ATMA2 за ціною від 20.45 грн до 50.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD15N06S2L64ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD15N06S2L64ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 354 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD15N06S2L64ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 5074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPD15N06S2L64ATMA2 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IPD15N06S2L64ATMA2 Код товару: 122996
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|