IPD180N10N3GATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 48.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD180N10N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPD180N10N3GATMA1 за ціною від 32.58 грн до 141.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD180N10N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD180N10N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD180N10N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD180N10N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V |
на замовлення 2936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD180N10N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD180N10N3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs MV POWER MOS |
на замовлення 5625 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD180N10N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD180N10N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPD180N10N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD180N10N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 48.15 грн |
| IPD180N10N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 48.78 грн |
| IPD180N10N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 48.80 грн |
| IPD180N10N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 129.85 грн |
| 10+ | 79.53 грн |
| 50+ | 59.75 грн |
| 100+ | 50.07 грн |
| 500+ | 39.52 грн |
| IPD180N10N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 138.83 грн |
| IPD180N10N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MV POWER MOS
MOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 141.01 грн |
| 10+ | 65.70 грн |
| 100+ | 45.42 грн |
| 500+ | 38.29 грн |
| 1000+ | 36.64 грн |
| 2500+ | 32.58 грн |
| IPD180N10N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 141.27 грн |
| IPD180N10N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 104+ | 141.27 грн |
| IPD180N10N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





