Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD180N10N3GATMA1
IPD180N10N3GATMA1

IPD180N10N3GATMA1 Infineon Technologies

2944ipd180n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd01226070a4bb7fb9fold.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+34.79 грн
23+34.22 грн
25+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD180N10N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPD180N10N3GATMA1 за ціною від 35.09 грн до 127.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD180N10N3GATMA1 IPD180N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPD180N10N3_G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1 IPD180N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2944ipd180n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd01226070a4bb7fb9fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1 IPD180N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD180N10N3_G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 43A; Idm: 43A; 71W; DPAK
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1 IPD180N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPD180N10N3_G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.08 грн
10+77.68 грн
100+52.12 грн
500+38.61 грн
1000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1 IPD180N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD180N10N3_G_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 6751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1 IPD180N10N3GATMA1 Infineon Technologies 2944ipd180n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd01226070a4bb7fb9fold.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1 IPD180N10N3_G.pdf
IPD180N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1 2944ipd180n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd01226070a4bb7fb9fold.pdf
IPD180N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
399+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1 IPD180N10N3_G.pdf
IPD180N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 43A; Idm: 43A; 71W; DPAK
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1 IPD180N10N3_G.pdf
IPD180N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.08 грн
10+77.68 грн
100+52.12 грн
500+38.61 грн
1000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1 Infineon_IPD180N10N3_G_DS_v02_03_en.pdf
IPD180N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MV POWER MOS
на замовлення 6751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD180N10N3GATMA1 2944ipd180n10n3g_rev2.2.pdffileiddb3a30432239cccd01226070a4bb7fb9fold.pdf
IPD180N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.