Технічний опис IPD18DP10LMATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm.
Інші пропозиції IPD18DP10LMATMA1 за ціною від 43.73 грн до 168.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD18DP10LMATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD18DP10LMATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD18DP10LMATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD18DP10LMATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD18DP10LMATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD18DP10LMATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPD18DP10LMATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD18DP10LMATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPD18DP10LMATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IPD18DP10LMATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IPD18DP10LMATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm |
на замовлення 2177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IPD18DP10LMATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 83W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm |
на замовлення 2177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD18DP10LMATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 52.58 грн |
| IPD18DP10LMATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 55.00 грн |
| IPD18DP10LMATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 55.07 грн |
| IPD18DP10LMATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 440+ | 80.37 грн |
| 500+ | 72.33 грн |
| 1000+ | 66.71 грн |
| 10000+ | 57.35 грн |
| IPD18DP10LMATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 440+ | 80.37 грн |
| 500+ | 72.33 грн |
| 1000+ | 66.71 грн |
| IPD18DP10LMATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 440+ | 80.37 грн |
| 500+ | 72.33 грн |
| 1000+ | 66.71 грн |
| IPD18DP10LMATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.04mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 13.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 141.87 грн |
| 10+ | 87.10 грн |
| 50+ | 65.70 грн |
| 100+ | 55.14 грн |
| 500+ | 43.73 грн |
| IPD18DP10LMATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 168.85 грн |
| 10+ | 115.96 грн |
| 100+ | 81.68 грн |
| 500+ | 64.11 грн |
| 1000+ | 50.45 грн |
| IPD18DP10LMATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 84+ | 168.85 грн |
| 122+ | 115.96 грн |
| 174+ | 81.68 грн |
| 500+ | 64.11 грн |
| 1000+ | 50.45 грн |
| IPD18DP10LMATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPD18DP10LMATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD18DP10LMATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
Description: INFINEON - IPD18DP10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.9 A, 0.178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1403ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)