Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD19DP10NMATMA1
IPD19DP10NMATMA1

IPD19DP10NMATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde08b35a1bae Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.49 грн
10+ 76.91 грн
100+ 59.81 грн
500+ 47.58 грн
1000+ 38.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD19DP10NMATMA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPD19DP10NMATMA1 за ціною від 25.39 грн до 105.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD19DP10NMATMA1 IPD19DP10NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD19DP10NM_DataSheet_v02_00_EN-2942427.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.93 грн
10+ 85.99 грн
100+ 57.88 грн
500+ 49.07 грн
1000+ 39.99 грн
2500+ 38.39 грн
5000+ 35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD19DP10NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd19dp10nm-datasheet-v02_00-en.pdf SP005343854
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPD19DP10NMATMA1 IPD19DP10NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bde08b35a1bae Description: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
товар відсутній