Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD200N15N3GATMA1
IPD200N15N3GATMA1

IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+66.60 грн
5000+60.28 грн
7500+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD200N15N3GATMA1 за ціною від 68.96 грн до 283.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+99.16 грн
5000+98.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+99.16 грн
5000+98.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 29046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.83 грн
10+136.09 грн
100+94.11 грн
500+71.46 грн
1000+68.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.24 грн
10+224.67 грн
25+211.37 грн
100+169.67 грн
250+147.55 грн
500+123.42 грн
1000+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+269.24 грн
63+224.67 грн
67+211.37 грн
100+169.67 грн
250+147.55 грн
500+123.42 грн
1000+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+283.01 грн
56+253.16 грн
100+231.67 грн
200+221.09 грн
500+182.33 грн
1000+160.70 грн
2000+146.37 грн
2500+144.32 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 6859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf
IPD200N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+99.16 грн
5000+98.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf
IPD200N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+99.16 грн
5000+98.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
IPD200N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
на замовлення 29046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.83 грн
10+136.09 грн
100+94.11 грн
500+71.46 грн
1000+68.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf
IPD200N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+269.24 грн
10+224.67 грн
25+211.37 грн
100+169.67 грн
250+147.55 грн
500+123.42 грн
1000+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf
IPD200N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+269.24 грн
63+224.67 грн
67+211.37 грн
100+169.67 грн
250+147.55 грн
500+123.42 грн
1000+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 377761254472016infineon-ipb200n15n3g-ds-v02_07-en.pdffileid5546d4624fb7fef2014ff.pdf
IPD200N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+283.01 грн
56+253.16 грн
100+231.67 грн
200+221.09 грн
500+182.33 грн
1000+160.70 грн
2000+146.37 грн
2500+144.32 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf
IPD200N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 6859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
IPD200N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 33705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
IPD200N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.