Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD220N06L3GATMA1
IPD220N06L3GATMA1

IPD220N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD220N06L3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e266fb35e471a Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.30 грн
5000+18.94 грн
7500+18.55 грн
12500+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD220N06L3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-311, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPD220N06L3GATMA1 за ціною від 15.11 грн до 90.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD220N06L3GATMA1 IPD220N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD220N06L3-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e266fb35e471a Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-311
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
на замовлення 12742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.01 грн
10+49.20 грн
100+32.78 грн
500+24.58 грн
1000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GATMA1 IPD220N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD220N06L3_DS_v02_00_en-2936363.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.12 грн
10+57.11 грн
100+33.18 грн
500+26.41 грн
1000+23.39 грн
2500+21.26 грн
5000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD220N06L3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd220n06l3_rev2.0.pdffolderiddb3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77fileiddb3a30431ddc9372011e266fb35.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.