Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD22N08S2L50ATMA1
IPD22N08S2L50ATMA1

IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD22N08S2L_50-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426dbff3ada&fileId=db3a304412b407950112b426ee5f3b08&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.46 грн
5000+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.0385 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0385ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD22N08S2L50ATMA1 за ціною від 41.50 грн до 202.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.15 грн
5000+61.27 грн
7500+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.36 грн
5000+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.36 грн
5000+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.02 грн
5000+62.05 грн
7500+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+88.96 грн
500+80.06 грн
1000+73.83 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD22N08S2L_50-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426dbff3ada&fileId=db3a304412b407950112b426ee5f3b08&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
на замовлення 9994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.48 грн
10+89.39 грн
100+60.57 грн
500+45.24 грн
1000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.38 грн
10+139.60 грн
100+87.99 грн
500+74.32 грн
1000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+202.77 грн
100+140.56 грн
159+88.60 грн
500+74.84 грн
1000+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 INFINEON 2577569.pdf Description: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 IPD22N08S2L50ATMA1 INFINEON Infineon-IPD22N08S2L_50-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426dbff3ada&fileId=db3a304412b407950112b426ee5f3b08&ack=t Description: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.0385 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0385ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf
IPD22N08S2L50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+69.15 грн
5000+61.27 грн
7500+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf
IPD22N08S2L50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+69.36 грн
5000+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf
IPD22N08S2L50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+69.36 грн
5000+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf
IPD22N08S2L50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+70.02 грн
5000+62.05 грн
7500+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf
IPD22N08S2L50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
395+88.96 грн
500+80.06 грн
1000+73.83 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon-IPD22N08S2L_50-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426dbff3ada&fileId=db3a304412b407950112b426ee5f3b08&ack=t
IPD22N08S2L50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
на замовлення 9994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.48 грн
10+89.39 грн
100+60.57 грн
500+45.24 грн
1000+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf
IPD22N08S2L50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+201.38 грн
10+139.60 грн
100+87.99 грн
500+74.32 грн
1000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 infineonipd22n08s2l50dsv0100en.pdf
IPD22N08S2L50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+202.77 грн
100+140.56 грн
159+88.60 грн
500+74.84 грн
1000+57.13 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 2577569.pdf
IPD22N08S2L50ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon-IPD22N08S2L_50-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426dbff3ada&fileId=db3a304412b407950112b426ee5f3b08&ack=t
IPD22N08S2L50ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.0385 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0385ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.