IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 31µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 42.76 грн |
| 5000+ | 39.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD22N08S2L50ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.0385 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0385ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPD22N08S2L50ATMA1 за ціною від 36.20 грн до 150.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD22N08S2L50ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.0385 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0385ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD22N08S2L50ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD22N08S2L50ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 27 A, 0.0385 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0385ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD22N08S2L50ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 31µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V |
на замовлення 9994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPD22N08S2L50ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 27A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |