IPD25CN10NGATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 39.92 грн |
| 5000+ | 39.53 грн |
| 7500+ | 39.13 грн |
| 12500+ | 37.35 грн |
| 17500+ | 34.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD25CN10NGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD25CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 71W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.
Інші пропозиції IPD25CN10NGATMA1 за ціною від 31.58 грн до 139.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 177500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V |
на замовлення 1268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 14031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IPD25CN10NGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD25CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 71W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPD25CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 40.02 грн |
| 5000+ | 39.61 грн |
| IPD25CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 40.02 грн |
| 5000+ | 39.61 грн |
| IPD25CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 59.23 грн |
| IPD25CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 568+ | 62.34 грн |
| 1000+ | 57.50 грн |
| IPD25CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 568+ | 62.34 грн |
| 1000+ | 57.50 грн |
| IPD25CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 177500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 102.57 грн |
| IPD25CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 116.24 грн |
| 10+ | 70.89 грн |
| 100+ | 47.53 грн |
| 500+ | 35.20 грн |
| 1000+ | 32.18 грн |
| IPD25CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 138.13 грн |
| 10+ | 95.65 грн |
| 100+ | 67.22 грн |
| 500+ | 50.91 грн |
| 1000+ | 44.56 грн |
| 2500+ | 31.58 грн |
| IPD25CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 102+ | 139.09 грн |
| 147+ | 96.31 грн |
| 209+ | 67.68 грн |
| 500+ | 51.26 грн |
| 1000+ | 44.87 грн |
| 2500+ | 31.80 грн |
| IPD25CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 14031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPD25CN10NGATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD25CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: INFINEON - IPD25CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 71W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)