IPD25CN10NGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.94 грн |
| 10+ | 72.54 грн |
| 100+ | 48.63 грн |
| 500+ | 36.02 грн |
| 1000+ | 32.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD25CN10NGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD25CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPD25CN10NGATMA1 за ціною від 30.03 грн до 135.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
на замовлення 14033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPD25CN10NGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD25CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPD25CN10NGATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 14033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.34 грн |
| 10+ | 77.41 грн |
| 100+ | 44.83 грн |
| 500+ | 35.38 грн |
| 1000+ | 32.28 грн |
| 2500+ | 30.03 грн |
| IPD25CN10NGATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD25CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD25CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 135.68 грн |
| 10+ | 87.16 грн |
| 100+ | 57.81 грн |
| 500+ | 42.38 грн |
| 1000+ | 35.73 грн |