Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD25DP06NMATMA1
IPD25DP06NMATMA1

IPD25DP06NMATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd25dp06nm-ds-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD25DP06NMATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V.

Інші пропозиції IPD25DP06NMATMA1 за ціною від 23.32 грн до 88.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD25DP06NMATMA1 IPD25DP06NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD25DP06NM_DS_v02_00_EN-1578796.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.02 грн
10+60.83 грн
100+41.20 грн
500+34.87 грн
1000+28.40 грн
2500+26.71 грн
5000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25DP06NMATMA1 IPD25DP06NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD25DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06677c9e724c Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.33 грн
10+53.72 грн
100+35.31 грн
500+25.71 грн
1000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25DP06NMATMA1 IPD25DP06NMATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD25DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06677c9e724c Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.