Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD25N06S240ATMA2
IPD25N06S240ATMA2

IPD25N06S240ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD25N06S2_40-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433b9ae5d5d&ack=t Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.45 грн
10+51.99 грн
100+35.98 грн
500+28.31 грн
1000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD25N06S240ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD25N06S240ATMA2 за ціною від 22.24 грн до 74.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD25N06S240ATMA2 IPD25N06S240ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD25N06S2_40_DS_v01_00_en-1731632.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.83 грн
10+55.79 грн
100+33.61 грн
500+26.93 грн
1000+24.73 грн
2500+23.04 грн
5000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S240ATMA2 IPD25N06S240ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd25n06s2-40_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S240ATMA2 IPD25N06S240ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD25N06S2_40-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433b9ae5d5d&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 29A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.