IPD26N06S2L35ATMA2 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPD26N06S2L35ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 12178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 53.29 грн |
| 50+ | 45.69 грн |
| 100+ | 38.00 грн |
| 500+ | 32.31 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD26N06S2L35ATMA2 INFINEON
Description: INFINEON - IPD26N06S2L35ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPD26N06S2L35ATMA2 за ціною від 22.43 грн до 107.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD26N06S2L35ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 2824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD26N06S2L35ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 621 pF @ 25 V |
на замовлення 2135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD26N06S2L35ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPD26N06S2L35ATMA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 22A; Idm: 120A; 68W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 22A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 68W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD26N06S2L35ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 26µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 621 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD26N06S2L35ATMA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 22A; Idm: 120A; 68W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 22A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 68W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ |
товару немає в наявності |