Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N03S4L-09
IPD30N03S4L-09

IPD30N03S4L-09 Infineon Technologies

Infineon_IPD30N03S4L_09_DS_v01_01_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N03S4L-09 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ T2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 30A, Power dissipation: 42W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 15nC, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції IPD30N03S4L-09

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD30N03S4L09.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09.pdf
IPD30N03S4L09ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.