IPD30N03S4L-09 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.97 грн |
| 10+ | 43.86 грн |
| 100+ | 33.41 грн |
| 500+ | 25.83 грн |
| 1000+ | 24.32 грн |
| 2500+ | 19.74 грн |
| 5000+ | 19.07 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD30N03S4L-09 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ T2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 30A, Power dissipation: 42W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 15nC, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IPD30N03S4L-09
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD30N03S4L09ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Power dissipation: 42W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD30N03S4L09ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.