Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > IPD30N03S4L09ATMA1

IPD30N03S4L09ATMA1

Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t
Код товару: 202239
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPD30N03S4L09ATMA1 за ціною від 15.48 грн до 79.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.62 грн
5000+18.33 грн
7500+17.55 грн
12500+15.65 грн
17500+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n03s4l-09_ds_1_1.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+35.59 грн
25+35.05 грн
100+33.27 грн
250+30.33 грн
500+28.65 грн
1000+28.19 грн
3000+27.73 грн
6000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n03s4l-09_ds_1_1.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
393+35.59 грн
399+35.05 грн
405+34.50 грн
411+32.75 грн
500+29.84 грн
1000+28.19 грн
3000+27.73 грн
6000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 393
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t Description: INFINEON - IPD30N03S4L09ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.70 грн
500+27.72 грн
1000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n03s4l-09_ds_1_1.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
329+42.45 грн
349+40.00 грн
357+39.19 грн
500+36.67 грн
1000+33.02 грн
2500+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t Description: INFINEON - IPD30N03S4L09ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.61 грн
16+52.41 грн
100+35.70 грн
500+27.72 грн
1000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.80 грн
10+48.21 грн
100+31.72 грн
500+23.10 грн
1000+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n03s4l-09_ds_1_1.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD30N03S4L_09_DS_v01_01_en-3360285.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD30N03S4L09.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

EL817S(C)
Код товару: 122670
Додати до обраних Обраний товар
el817sc-datasheet.pdf
EL817S(C)
Виробник: Everlight
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -55…+110°C
у наявності: 1292 шт
931 шт - склад
120 шт - РАДІОМАГ-Київ
241 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 100 шт
100 шт - очікується
Кількість Ціна
4+6.50 грн
10+5.80 грн
100+5.20 грн
1000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Магніт NdFeB, Блок 50 x 25 x 5 mm (N38), Ni + Cu + Ni (нікель)
Код товару: 88631
Додати до обраних Обраний товар
magnetickhsduidf.pdf
Магніт NdFeB, Блок 50 x 25 x 5 mm (N38), Ni + Cu + Ni (нікель)
+1
Виробник: HHII
Корпусні та встановлювальні вироби > Магніти
Матеріал: N38, NdFeB, Ni + Cu + Ni (нікель)
Габарити: Блок (паралелепіпед), 50 х 25 х 5 мм
Тип: Неодимовий
Форма: Блок (паралелепіпед)
Зусилля на відрив (прибл.): 17 kg
у наявності: 23 шт
3 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+139.00 грн
10+127.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 10V EMR 5x7mm (Super miniature size) (EMR101M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2698
3 Додати до обраних Обраний товар
EMR_080514.pdf
100uF 10V EMR 5x7mm (Super miniature size) (EMR101M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: EMR
Тип: супермініатюрні, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х7mm
Строк життя: 1000 годин
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується 15.06.2026
Кількість Ціна
14+1.50 грн
19+1.10 грн
100+0.75 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.