Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N03S4L14ATMA1
IPD30N03S4L14ATMA1

IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD30N03S4L_14-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426f9b13b2c&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.68 грн
7500+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0136 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 31W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm.

Інші пропозиції IPD30N03S4L14ATMA1 за ціною від 22.13 грн до 77.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies infineonipd30n03s4l14dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1172+30.38 грн
10000+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 1172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies infineonipd30n03s4l14dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1172+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 1172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies infineonipd30n03s4l14dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.52 грн
20000+27.89 грн
30000+25.95 грн
40000+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies ipd30n03s4l-14_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.48 грн
5000+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies ipd30n03s4l-14_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.56 грн
5000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies ipd30n03s4l-14_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies infineonipd30n03s4l14dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies ipd30n03s4l-14_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+72.03 грн
225+63.36 грн
256+55.64 грн
268+51.38 грн
500+44.92 грн
1000+40.88 грн
2500+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD30N03S4L_14-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426f9b13b2c&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.13 грн
10+46.57 грн
50+34.42 грн
100+28.61 грн
500+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 INFINEON INFNS16979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0136 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
на замовлення 38182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies infineonipd30n03s4l14dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N03S4L_14-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426f9b13b2c&ack=t Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0136 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
на замовлення 38182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 infineonipd30n03s4l14dsv0201en.pdf
IPD30N03S4L14ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1172+30.38 грн
10000+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 1172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 infineonipd30n03s4l14dsv0201en.pdf
IPD30N03S4L14ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1172+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 1172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 infineonipd30n03s4l14dsv0201en.pdf
IPD30N03S4L14ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.52 грн
20000+27.89 грн
30000+25.95 грн
40000+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 ipd30n03s4l-14_ds_2_0.pdf
IPD30N03S4L14ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.48 грн
5000+31.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 ipd30n03s4l-14_ds_2_0.pdf
IPD30N03S4L14ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.56 грн
5000+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 ipd30n03s4l-14_ds_2_0.pdf
IPD30N03S4L14ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 287500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 infineonipd30n03s4l14dsv0201en.pdf
IPD30N03S4L14ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
377+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 ipd30n03s4l-14_ds_2_0.pdf
IPD30N03S4L14ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
198+72.03 грн
225+63.36 грн
256+55.64 грн
268+51.38 грн
500+44.92 грн
1000+40.88 грн
2500+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon-IPD30N03S4L_14-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426f9b13b2c&ack=t
IPD30N03S4L14ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.13 грн
10+46.57 грн
50+34.42 грн
100+28.61 грн
500+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 INFNS16979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD30N03S4L14ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0136 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
на замовлення 38182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 infineonipd30n03s4l14dsv0201en.pdf
IPD30N03S4L14ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon-IPD30N03S4L_14-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426f9b13b2c&ack=t
IPD30N03S4L14ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0136 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
на замовлення 38182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.