Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N06S215ATMA2
IPD30N06S215ATMA2

IPD30N06S215ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD30N06S2_15-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e70a5e0a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.42 грн
5000+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N06S215ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD30N06S215ATMA2 за ціною від 40.76 грн до 138.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 Infineon Technologies ipd30n06s2-15_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.31 грн
240+59.03 грн
250+56.34 грн
500+52.03 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 Infineon Technologies ipd30n06s2-15_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.42 грн
13+62.53 грн
25+62.31 грн
100+56.92 грн
250+52.17 грн
500+49.95 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 Infineon Technologies ipd30n06s2-15_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.78 грн
213+66.47 грн
221+64.12 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD30N06S2_15-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e70a5e0a Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.71 грн
10+85.14 грн
100+57.64 грн
500+43.03 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2 IPD30N06S215ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD30N06S2_15_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2 ipd30n06s2-15_green.pdf
IPD30N06S215ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
227+62.31 грн
240+59.03 грн
250+56.34 грн
500+52.03 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2 ipd30n06s2-15_green.pdf
IPD30N06S215ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+65.42 грн
13+62.53 грн
25+62.31 грн
100+56.92 грн
250+52.17 грн
500+49.95 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2 ipd30n06s2-15_green.pdf
IPD30N06S215ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
209+67.78 грн
213+66.47 грн
221+64.12 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2 Infineon-IPD30N06S2_15-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433e70a5e0a
IPD30N06S215ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+138.71 грн
10+85.14 грн
100+57.64 грн
500+43.03 грн
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S215ATMA2 Infineon_IPD30N06S2_15_DS_v01_00_en.pdf
IPD30N06S215ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.