Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4

IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies

Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD30N06S2L13ATMA4 за ціною від 39.86 грн до 161.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : INFINEON Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.61 грн
500+49.98 грн
1000+45.09 грн
5000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD30N06S2L_13_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.67 грн
10+54.37 грн
100+47.20 грн
500+47.12 грн
1000+46.89 грн
2500+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : INFINEON Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+65.14 грн
15+58.96 грн
100+58.61 грн
500+49.98 грн
1000+45.09 грн
5000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+67.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+78.55 грн
173+72.07 грн
194+64.42 грн
250+60.22 грн
500+51.51 грн
1000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+81.15 грн
159+78.56 грн
172+72.44 грн
200+67.86 грн
500+62.65 грн
1000+57.12 грн
2000+56.41 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+84.16 грн
10+77.22 грн
100+69.02 грн
250+64.53 грн
500+55.19 грн
1000+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+87.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.24 грн
10+99.14 грн
100+67.36 грн
500+50.44 грн
1000+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.