Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4

IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies

Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD30N06S2L13ATMA4 за ціною від 40.42 грн до 163.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : INFINEON Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.44 грн
500+50.68 грн
1000+45.72 грн
5000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD30N06S2L_13_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.58 грн
10+55.14 грн
100+47.87 грн
500+47.79 грн
1000+47.55 грн
2500+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : INFINEON Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+66.06 грн
15+59.79 грн
100+59.44 грн
500+50.68 грн
1000+45.72 грн
5000+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+80.59 грн
173+73.95 грн
194+66.09 грн
250+61.79 грн
500+52.85 грн
1000+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
154+83.26 грн
159+80.60 грн
172+74.32 грн
200+69.62 грн
500+64.28 грн
1000+58.61 грн
2000+57.88 грн
Мінімальне замовлення: 154
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+86.35 грн
10+79.23 грн
100+70.82 грн
250+66.20 грн
500+56.63 грн
1000+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.51 грн
10+100.54 грн
100+68.31 грн
500+51.15 грн
1000+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s2l-13_green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.