Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N06S2L13ATMA4

IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies

Name: IPD30N06S2L13ATMA4
Brand: Infineon Technologies
SKU: 53935-7
Price: 113225 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	45.29 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPD30N06S2L13ATMA4 за ціною від 42.54 грн до 123.49 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	45.39 грн
5000+	42.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
237+	51.45 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IPD30N06S2L_13_DS_v01_00_en-1731848.pdf

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 2333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	63.45 грн
10+	56.80 грн
100+	47.34 грн
500+	47.12 грн
1000+	44.03 грн
2500+	43.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	66.08 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	70.66 грн
10+	56.11 грн
100+	50.49 грн
500+	44.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	71.38 грн
10+	65.50 грн
100+	58.55 грн
250+	54.73 грн
500+	46.82 грн
1000+	42.54 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
159+	76.88 грн
173+	70.54 грн
194+	63.05 грн
250+	58.94 грн
500+	50.42 грн
1000+	45.81 грн

Мінімальне замовлення: 159

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
154+	79.42 грн
159+	76.88 грн
172+	70.90 грн
200+	66.42 грн
500+	61.31 грн
1000+	55.91 грн
2000+	55.21 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : INFINEON

INFNS09572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 10629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	81.92 грн
500+	66.43 грн
1000+	48.27 грн
5000+	47.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	86.06 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 13031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	123.49 грн
10+	93.03 грн
100+	71.96 грн
500+	58.41 грн
1000+	49.33 грн
5000+	44.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.