Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N06S2L13ATMA4

IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies

Name: IPD30N06S2L13ATMA4
Brand: Infineon Technologies
SKU: 5334539-3
Price: 107575.00 UAH
Availability: InStock

Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	43.03 грн
5000+	39.22 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPD30N06S2L13ATMA4 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD30N06S2L13ATMA4 за ціною від 37.13 грн до 164.29 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 12611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	54.60 грн
500+	46.56 грн
1000+	42.00 грн
5000+	37.13 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 1611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
237+	58.99 грн

Мінімальне замовлення: 237

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	75.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	88.14 грн
10+	80.87 грн
100+	72.28 грн
250+	67.58 грн
500+	57.80 грн
1000+	52.52 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
159+	88.14 грн
173+	80.87 грн
194+	72.28 грн
250+	67.58 грн
500+	57.80 грн
1000+	52.52 грн

Мінімальне замовлення: 159

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
154+	91.06 грн
159+	88.15 грн
172+	81.28 грн
200+	76.14 грн
500+	70.30 грн
1000+	64.10 грн
2000+	63.30 грн

Мінімальне замовлення: 154

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	98.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IPD30N06S2L13ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.013 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 12528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	107.90 грн
11+	74.32 грн
100+	59.79 грн
500+	46.18 грн
1000+	40.96 грн
5000+	38.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IPD30N06S2L_13_DS_v01_00_en.pdf

MOSFETs MOSFET_)40V 60V)

на замовлення 4148 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	109.53 грн
10+	72.21 грн
100+	50.28 грн
500+	45.13 грн
1000+	43.25 грн
2500+	37.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	164.29 грн
10+	101.25 грн
100+	68.79 грн
500+	51.51 грн
1000+	47.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPD30N06S2L13ATMA4

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.