IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 31.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD30N06S2L23ATMA3 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD30N06S2L23ATMA3 за ціною від 27.38 грн до 124.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD30N06S2L23ATMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_)40V 60V) |
на замовлення 62632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD30N06S2L23ATMA3 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 59425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD30N06S2L23ATMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD30N06S2L23ATMA3 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD30N06S2L23ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 59425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD30N06S2L23ATMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD30N06S2L23ATMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD30N06S2L23ATMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 11605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD30N06S2L23ATMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPD30N06S2L23ATMA3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 100W; DPAK,TO252 Application: automotive industry Gate charge: 33nC On-state resistance: 15.9mΩ Power dissipation: 100W Case: DPAK; TO252 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 30A Drain-source voltage: 55V |
товару немає в наявності |