IPD30N06S3L-20 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD30N06S3L-20 - IPD30N06 55V-60V N-CHANNEL AUTOMOTIVE M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD30N06S3L-20 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IPD30N06S3L-20
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPD30N06S3L-20 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IPD30N06S3L-20 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |