Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N06S4L23ATMA2
IPD30N06S4L23ATMA2

IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD30N06S4L23ATMA2 за ціною від 21.43 грн до 98.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 INFINEON Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5 Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.17 грн
500+31.23 грн
1000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD30N06S4L_23_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 3791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.81 грн
10+56.33 грн
100+34.25 грн
500+27.56 грн
1000+25.16 грн
2500+21.71 грн
5000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 INFINEON Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5 Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.39 грн
50+63.32 грн
100+43.17 грн
500+31.23 грн
1000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5 Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.32 грн
10+59.71 грн
100+39.54 грн
500+28.98 грн
1000+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5
IPD30N06S4L23ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+43.17 грн
500+31.23 грн
1000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon_IPD30N06S4L_23_DS_v01_00_en.pdf
IPD30N06S4L23ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 3791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.81 грн
10+56.33 грн
100+34.25 грн
500+27.56 грн
1000+25.16 грн
2500+21.71 грн
5000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5
IPD30N06S4L23ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+95.39 грн
50+63.32 грн
100+43.17 грн
500+31.23 грн
1000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5
IPD30N06S4L23ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.32 грн
10+59.71 грн
100+39.54 грн
500+28.98 грн
1000+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.