Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N06S4L23ATMA2
IPD30N06S4L23ATMA2

IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon Technologies

ipd30n06s4l-23_ds_10.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD30N06S4L23ATMA2 за ціною від 21.50 грн до 101.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : INFINEON INFNS14102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.46 грн
500+27.42 грн
1000+24.47 грн
5000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s4l-23_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s4l-23_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
341+37.26 грн
342+37.17 грн
343+37.06 грн
344+35.64 грн
500+32.91 грн
1000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s4l-23_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s4l-23_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
313+40.64 грн
340+37.37 грн
351+36.20 грн
500+33.58 грн
1000+29.96 грн
2500+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s4l-23_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+41.74 грн
19+39.93 грн
25+39.83 грн
100+38.29 грн
250+35.36 грн
500+33.85 грн
1000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : INFINEON INFNS14102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+42.60 грн
22+41.36 грн
100+37.98 грн
500+30.23 грн
1000+25.54 грн
5000+21.73 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD30N06S4L_23_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+45.32 грн
10+38.57 грн
100+30.05 грн
500+28.30 грн
1000+25.93 грн
2500+25.13 грн
5000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5 Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.20 грн
10+61.36 грн
100+40.62 грн
500+29.77 грн
1000+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s4l-23_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5 Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.