Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N06S4L23ATMA2
IPD30N06S4L23ATMA2

IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon Technologies

ipd30n06s4l-23_ds_10.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N06S4L23ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD30N06S4L23ATMA2 за ціною від 21.05 грн до 99.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : INFINEON INFNS14102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.79 грн
500+26.85 грн
1000+23.96 грн
5000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s4l-23_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s4l-23_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
341+36.49 грн
342+36.40 грн
343+36.29 грн
344+34.90 грн
500+32.22 грн
1000+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 341
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s4l-23_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s4l-23_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
313+39.80 грн
340+36.59 грн
351+35.44 грн
500+32.88 грн
1000+29.34 грн
2500+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 313
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s4l-23_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+40.87 грн
19+39.09 грн
25+39.00 грн
100+37.49 грн
250+34.62 грн
500+33.14 грн
1000+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : INFINEON INFNS14102-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD30N06S4L23ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.72 грн
22+40.50 грн
100+37.19 грн
500+29.60 грн
1000+25.01 грн
5000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD30N06S4L_23_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.38 грн
10+37.76 грн
100+29.42 грн
500+27.71 грн
1000+25.39 грн
2500+24.61 грн
5000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5 Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.09 грн
10+60.08 грн
100+39.77 грн
500+29.15 грн
1000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 30A; 36W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd30n06s4l-23_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S4L23ATMA2 IPD30N06S4L23ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N06S4L_23-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203887944f0ca5 Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.