IPD30N08S222ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 160.29 грн |
| 10+ | 99.11 грн |
| 100+ | 67.59 грн |
| 500+ | 50.77 грн |
| 1000+ | 49.68 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD30N08S222ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPD30N08S222ATMA1 за ціною від 50.71 грн до 193.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD30N08S222ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS |
на замовлення 1146 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| IPD30N08S222ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 193.98 грн |
| 10+ | 93.44 грн |
| 100+ | 73.13 грн |
| 500+ | 58.46 грн |
| 1000+ | 55.75 грн |
| 2500+ | 50.71 грн |