Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N08S222ATMA1
IPD30N08S222ATMA1

IPD30N08S222ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPD30N08S2_22_DS_v01_00_en.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.27 грн
10+102.79 грн
100+62.96 грн
500+55.61 грн
1000+52.76 грн
2500+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N08S222ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD30N08S222ATMA1 за ціною від 53.57 грн до 172.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N08S2_22-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426dbff3ada&fileId=db3a304412b407950112b426dcc93adb&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.84 грн
10+106.87 грн
100+72.88 грн
500+54.75 грн
1000+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n08s2-22_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n08s2-22_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n08s2-22_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N08S2_22-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426dbff3ada&fileId=db3a304412b407950112b426dcc93adb&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.