Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N08S222ATMA1
IPD30N08S222ATMA1

IPD30N08S222ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD30N08S2_22-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426dbff3ada&fileId=db3a304412b407950112b426dcc93adb&ack=t Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.86 грн
10+92.34 грн
100+65.32 грн
500+52.05 грн
1000+47.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N08S222ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD30N08S222ATMA1 за ціною від 47.53 грн до 150.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD30N08S2_22_DS_v01_00_en-1731754.pdf MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.20 грн
10+100.68 грн
100+62.02 грн
250+61.94 грн
500+50.69 грн
1000+47.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n08s2-22_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n08s2-22_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n08s2-22_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD30N08S222.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 30A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N08S2_22-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426dbff3ada&fileId=db3a304412b407950112b426dcc93adb&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S222ATMA1 IPD30N08S222ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD30N08S222.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 30A; 136W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.