IPD30N08S222ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.13 грн |
| 10+ | 93.18 грн |
| 100+ | 65.91 грн |
| 500+ | 52.52 грн |
| 1000+ | 48.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD30N08S222ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPD30N08S222ATMA1 за ціною від 47.96 грн до 151.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD30N08S222ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS |
на замовлення 1472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD30N08S222ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPD30N08S222ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPD30N08S222ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPD30N08S222ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD30N08S222 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IPD30N08S222ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |