Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N08S2L21ATMA1
IPD30N08S2L21ATMA1

IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies

ipd30n08s2l-21_green.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
279+43.83 грн
289+42.30 грн
Мінімальне замовлення: 279
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD30N08S2L21ATMA1 за ціною від 46.92 грн до 125.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n08s2l-21_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+55.51 грн
25+55.36 грн
100+53.23 грн
250+49.15 грн
500+47.05 грн
1000+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n08s2l-21_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
204+59.95 грн
205+59.61 грн
206+57.32 грн
250+52.93 грн
500+50.67 грн
1000+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.90 грн
500+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n08s2l-21_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.48 грн
10+73.49 грн
100+61.64 грн
500+54.90 грн
1000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.32 грн
10+88.31 грн
100+69.90 грн
500+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD30N08S2L_21_DS_v01_00_en-1731713.pdf MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 38164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.31 грн
10+89.68 грн
100+62.02 грн
250+61.43 грн
500+54.66 грн
1000+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n08s2l-21_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n08s2l-21_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 75V; 30A; Idm: 120A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS®
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 75V; 30A; Idm: 120A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.