Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N08S2L21ATMA1
IPD30N08S2L21ATMA1

IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.24 грн
5000+ 44.71 грн
12500+ 43.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPD30N08S2L21ATMA1 за ціною від 43.49 грн до 132.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD30N08S2L_21_DS_v01_00_en-1731713.pdf MOSFET N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 38828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.91 грн
10+ 72.68 грн
100+ 55.21 грн
250+ 54.81 грн
500+ 50.28 грн
1000+ 45.68 грн
2500+ 43.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n08s2l-21_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
121+96.73 грн
133+ 88.1 грн
163+ 71.73 грн
200+ 64.67 грн
1000+ 53.06 грн
2000+ 47.53 грн
Мінімальне замовлення: 121
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 20067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.33 грн
10+ 85.6 грн
100+ 68.11 грн
500+ 54.09 грн
1000+ 45.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n08s2l-21_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+123.09 грн
10+ 109.81 грн
25+ 108.73 грн
50+ 103.81 грн
100+ 76.87 грн
250+ 73.04 грн
500+ 59.6 грн
1000+ 47.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n08s2l-21_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
89+132.56 грн
99+ 118.26 грн
100+ 117.09 грн
101+ 111.79 грн
126+ 82.78 грн
250+ 78.65 грн
500+ 64.19 грн
1000+ 51.62 грн
Мінімальне замовлення: 89
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : Infineon Technologies ipd30n08s2l-21_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 75V; 30A; Idm: 120A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IPD30N08S2L21ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 75V; 30A; Idm: 120A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній