Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD30N08S2L21ATMA1
IPD30N08S2L21ATMA1

IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm.

Інші пропозиції IPD30N08S2L21ATMA1 за ціною від 48.99 грн до 106.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies ipd30n08s2l-21_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+50.80 грн
289+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies ipd30n08s2l-21_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.29 грн
25+69.11 грн
100+66.45 грн
250+61.36 грн
500+58.73 грн
1000+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies ipd30n08s2l-21_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+69.49 грн
205+69.11 грн
206+66.45 грн
250+61.36 грн
500+58.73 грн
1000+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.12 грн
10+73.23 грн
100+61.42 грн
500+54.70 грн
1000+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies ipd30n08s2l-21_green.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD30N08S2L_21_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 36604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 ipd30n08s2l-21_green.pdf
IPD30N08S2L21ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
279+50.80 грн
289+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 ipd30n08s2l-21_green.pdf
IPD30N08S2L21ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+69.29 грн
25+69.11 грн
100+66.45 грн
250+61.36 грн
500+58.73 грн
1000+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 ipd30n08s2l-21_green.pdf
IPD30N08S2L21ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
204+69.49 грн
205+69.11 грн
206+66.45 грн
250+61.36 грн
500+58.73 грн
1000+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t
IPD30N08S2L21ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.12 грн
10+73.23 грн
100+61.42 грн
500+54.70 грн
1000+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 ipd30n08s2l-21_green.pdf
IPD30N08S2L21ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon_IPD30N08S2L_21_DS_v01_00_en.pdf
IPD30N08S2L21ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
на замовлення 36604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t
IPD30N08S2L21ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t
IPD30N08S2L21ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N08S2L21ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0159ohm
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.